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[参考译文] 更改晶体管之后出现收敛问题

Guru**** 2614265 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5155, TINA-TI

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1258424/convergence-problems-after-changing-transistor

主题中讨论的其他器件:LM5155TINA-TI

您好!

我尝试在 TINA TI 软件中对 TI (SNVMBV8)提供的 LM5155模型进行仿真、但我的组件将具有更高的功率。 将功率晶体管从 TI 模型更改为导入的 PSpice 模型后、在2%的仿真进度后、出现收敛问题。 有人能帮我吗? 连接了修改后的模型。

您好!

巴特

e2e.ti.com/.../snvmbv8_5F00_mod.TSC

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    您好、Bartosz、

    我们将对此进行研究、但可能需要几天的时间。

    所以尽量回来到下周中旬。

    此致、

     斯特凡

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    Stefan、您好、

    是否有任何有关该问题的更新?

    巴特

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    您好、Bartosz、

    很抱歉耽误了很长时间。
    我将尝试帮助您调试您的仿真模型。

    看看您发送的模型、看起来您在此应用中使用的是 P-MOS。 对于该 LM5155升压电路、需要 N-MOS。 请更改 FET 模型并检查设计是否达到收敛。

    然后、您还可以检查原理图的其余部分是否存在任何其他缺陷。
    我们有一个适用于 LM5155的快速入门计算器工具、它可以帮助您立即确定可能的设计改进:
    https://www.ti.com/tool/download/SNVC224

    如果这已经修复了该模型、或者您需要其他帮助、请告诉我。

    谢谢、此致、
    尼克拉斯

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    您好、Niklas、

    感谢您的回答。

    问题仍然存在、因为使用的晶体管模型是从 STMicroelectronics 提供的 PSpice 库(附录)导入的、我在导入到 Tina-TI 时只选择了 P-MOS、而不是 N-MOS。 请查找随附的固定型号。

    您好!

    巴特

    e2e.ti.com/.../stp80nf12.libe2e.ti.com/.../2548.snvmbv8_5F00_mod.TSC

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    您好、Bart:

    感谢快速更新。
    我仍然假设收敛问题与所选的 FET 模型有关。

    我只是在使用来自 TINA 库的通用 FET 发送的最新模型中替换了 FET 器件开始进行仿真、没有任何错误。
    您能否检查另一个 FET 是否也可以解决您一方的仿真?

    此致、
    尼克拉斯

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    您好、Niklas、

    是的、仿真没有问题完成、但是我想使用所选的组件进行仿真、只是为了确保它能够正确运行。 您是否认为导入的 PSpice 库可能存在问题?

    巴特

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    您好、Bart:

    是的、导入的模型库确实可以成为此类错误的来源。
    您是否也尝试过在 PSpice for TI 中设置此设计?
    此仿真器比 TINA 更现代、通常可以获得更一致的结果。

    此致、
    尼克拉斯  

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    您好、Niklas、

    不、我尚未尝试 PSpice for TI、但我现在要尝试一下。 感谢您的帮助、如果 PSpice for TI 出现任何问题、我会毫不犹豫地提出。

    您好!

    巴特