[参考译文] PMP10506：仿真、硬件和放大器；系统设计工具论坛

尊敬的 Kevin、我们目前正在查看此申请、我们将尽快答复您、谢谢！

尊敬的 Kevin：

下面是问题评论。 如果可以、最好附上您的设计原理图和布局、以便我们进行检查。

问题1：

Vout=1.24V*[1+(R24+R40)/R25]。 更改 R40、R25可以根据所需的输出电压更改输出电压。 最好更改 R25、因为 R25不会影响环路

问题2：

有几个方面需要检查。 1.过流保护,电流检测电阻值是否正确? 增大 RC 滤波器(R1、C7)以避免误触发。 2.循环参数：检查 R16、R21、Rx1。

问题3：

输出电容器将是影响输出纹波电压的关键因素、输出电容器器件型号是否与 PMP10506类似？

问题4：

根据开关频率公式、您是对的。  

大家好、David

1.将 R25更改为13.7k Ω 后、Vout 为4.96VDC。 对我来说很好。
R1、R2变为560欧姆、C7变为1000pF、Iout=6A@Vin=9Vdc 也可以。
3.我还将 R7更改为2.2欧姆、并将 Snubber (Rsb1/Rs12为36欧姆、Csb1为820pf)位置更改为并联的 T1 PIN2/pin5。
4.用200V/42A/28m 欧姆代替 NMOS 规格、这样我就可以订购到货。

请帮助我验证上述修改是否可行。

我将测试动态负载(Vin=9Vdc、Iout=3-6A)一晚的稳定性。

当动态负载 Iout 为3A 至6A 时、存在 Vout 摆幅。
请参阅随附的文件。
我想降低至5V +- 5%。
是否有任何建议让我调整某些部件的值？

我有什么布局指南吗？
通常布局规则：
1.变压器下方的铜平面更少。
2.控制器信号布线远离变压器。
但为什么 PMP10506布局在变压器下方有更多的铜平面呢？

尊敬的 Kevin：

1.对于项目3、我不建议更改以下内容。 保留 36欧姆的 Rsb1/Rs12、具有820pf 的 Csb1用于缓慢 Vds 上升和下降斜坡、可灵活调整 EMI 性能。

 将缓冲器(36 Ω Rsb1/Rs12,820pf 的 Csb1)位置更改为并联 T1 PIN2/pin5。

2.为提高动态负载性能,改善下冲的实用方法是增加电容。 另一种方法是优化环路参数。

3.布局指南。 请参阅 LM5122数据表

大家好、David

Q1：您建议 Vout 电容器有多大的值？
已将22uF MLCC*4个、100uF MLCC*6个、680uF EC*1个
Q2：是否有任何建议值(针对环路参数(R16、R21、Rx1)增加/减少）？

问题3：

缓冲器位置之间的区别是什么、有什么不同的用途吗？
PMP 10506与 NMOS 并联。
其他供应商/线性器件与变压器并联。
www.analogue.com/.../DC2047A-3-A-SCH.PDF
我查看 ROHM 网页：
techweb.rohm.com tw
返馳方式中，會在變壓器的鐵芯保留間隙，增加漏磁且產生漏電感。開關電流會經過該漏電感並蓄積能量，但因為未和其他線圈相接，無法轉移功率而產生突波電壓，並施加到MOSFET的汲極 μ A 至源極之間。μ A