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[参考译文] TIDA-010042:使用 MOSFET CSD19531Q5A 且基于 msp430f5132的设计的死区问题

Guru**** 2379990 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-010042
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1395587/tida-010042-deadband-issue-for-msp430f5132-based-design-using-mosfet-csd19531q5a

器件型号:TIDA-010042

工具与软件:

您好!

在提供的参考代码中、计时器 D 通过向上计数模式设置为高分辨率。 根据代码、死区仅在高侧 FET 信号从高电平下降到低电平、而低侧 FET 信号从低电平上升到高电平时才适用。

但是、在低侧 FET 从高电平转换到低电平以及高侧从低电平转换到高电平期间、将不会出现死区。 那么、这会导致电源和 GND 之间短路、对吧? 为什么 TI 现在还没有添加死区?  

不在高分辨率模式下对计时器 D 使用向上/向下模式的原因是因为 PWM 信号在向下相位中生成不正确吗?

是否有其他方法可以在两侧产生死区?

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    尊敬的 Cyril:

    在旧的软件和硬件案例中、我没有发现发生了短路。

    我会检查代码、但我认为正常函数没问题。

    此致、

    Bowen

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    尊敬的 Bowen:

    感谢您的快速回复。 对于同步降压、 当高侧导通和 低侧导通时应该有死区? 使用升压模式、不可能实现这一点、对吧?  

    此致、

    Cyril

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    尊敬的 Cyril:

    使用向上计数模式、它可以在两个边沿实现死区时间。

    此致、

    Bowen

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    尊敬的 Bowen:

    感谢您提供的信息。 很高兴知道、向上计数模式可以在两个边沿实现死区时间。 我无法在其他任何地方找到它、请您帮助我如何才能实现这一点。 TIDA-010042参考代码是否在两个边缘都具有死区时间?

    此致、

    Cyril

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    尊敬的 Cyril:

    我可以使用 MSPM0版本软件为您提供帮助。 对于 MSP430、我不太熟悉死区软件。 您可以请求 MSPM0产品线提供帮助。

    谢谢。

    此致、

    Bowen