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您好!
在提供的参考代码中、计时器 D 通过向上计数模式设置为高分辨率。 根据代码、死区仅在高侧 FET 信号从高电平下降到低电平、而低侧 FET 信号从低电平上升到高电平时才适用。
但是、在低侧 FET 从高电平转换到低电平以及高侧从低电平转换到高电平期间、将不会出现死区。 那么、这会导致电源和 GND 之间短路、对吧? 为什么 TI 现在还没有添加死区?
不在高分辨率模式下对计时器 D 使用向上/向下模式的原因是因为 PWM 信号在向下相位中生成不正确吗?
是否有其他方法可以在两侧产生死区?