工具与软件:
您好!
我有一个 LLC 电路、开关频率为250kHz、输出电压为12V。我在不同负载下(轻负载下的突发模式、600W 和960W)对其进行了测试。 我注意到 Vgs 小于预期值(约11V)、并且控制器随着负载增加开始变热。 此外、开关似乎在预期之前关闭。 按照下图所示的电路和测量结果进行操作。
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我有一个 LLC 电路、开关频率为250kHz、输出电压为12V。我在不同负载下(轻负载下的突发模式、600W 和960W)对其进行了测试。 我注意到 Vgs 小于预期值(约11V)、并且控制器随着负载增加开始变热。 此外、开关似乎在预期之前关闭。 按照下图所示的电路和测量结果进行操作。
您好!
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您好!
什么数字是,你有帖子不能显示. 他们传达了一个信息、TI 无法查看这些联系人。 您是否能够以其他格式重新发布它们。
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您好!
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您好!
我查看了你们的波形、栅极驱动似乎工作正常。
栅极驱动器电压的电平由 FET VDS 上的电压控制。
当 VDS 上的电压低于 VTHVGON (-265mV)时、FET 将导通、并具有10.9V (VGhi)的最大驱动电压。
栅极驱动器将继续在 VGhi 处驱动栅极、直到 IDs*Rdson =-50mV。 此处、将改变栅极电压以保持整个 VDS 为50mV。 如果无法长期保持这种状态、当满足 VTHVGOFF 阈值时、FET 将关断。 请参考下图。
如果您的控制器很可能正在升温、它将驱动至很大的栅极电容。
IC 耗散的功率为 IDD*FSW VDD = Qg。
更像是您的 FET 栅极电容过大、或者您要使用单个栅极 SR 控制器驱动多个 FET。
使用多个 SR 驱动器应该有助于减少发热。 如果您并联使用多个 SR、请考虑在每个 SR FET 上放置和 FET 驱动器。
此致、
但是、正如您在图中看到的、Vgs 不超过8V。 此外、与原理图一样、该双控制器仅驱动2个 FET。 这是 FET 的栅极电容。
您好!
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此致、
您好!
您可能希望检查 VDD?
为了 驱动 VG 至10.8V 、VDD 需要高于10.8V
此致、
您好!
我检查了数据表测试参数、在指定和 测量栅极参数时将 VDD 设置为12V。
因此、只要 VDD 使用12V 或更高的电压驱动、栅极驱动器就应该能够实现10.8V
请注意、需要在 UCC24624的 VG 引脚(而不是您所驱动的 FET 的栅极)测量电压。
此致、