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器件型号：PMP40261 工具与软件：
问题1：
在数据表中、建议使用与电源开关串联的电流互感器来检测电流、然后在 IC 内部合成电感电流波形。
但通过这种方式、换向环路将扩展、以增加环路阻抗。 恐怕开关节点有噪声。 我可否看看下列方案是否可行？ 您会推荐哪一个？
- 将 CT 放在 GND 侧、即换向环路之外的 A 点。
- 将 CT 与 GND 布线 B 点串联、以直接检测电感器电流。
- 在 A 点或 B 点放置一个分流电阻器而不是 CT。如果是、如何选择外部元件、即 RSYN
问题2：
在原理图中、我发现一些与 MOSFET 和二极管串联的铁氧体磁珠。 我可以问您为什么要放置它们吗？ 您想解决哪些问题？ 如何选择这些铁氧体磁珠？ 
尤其是、这些电源开关的导通/关断瞬态非常快。 di/dt 非常高。 这是否会在器件上引起高电压尖峰？
问题3.
通过查看测试报告的详细信息 、我们发现 MOSFET 上存在一些大的电压尖峰。 显然、当电流较高时、di/di 较高(假设上升时间和下降时间保持不变)、并且电压尖峰较高。 输出电压为390V、但最大 VDS 为498V。 我认为这很可能是由与电源开关串联的铁氧体磁珠引起的。 TI 是否有任何其他关于将铁氧体磁珠放置在该处的问题？
