[参考译文] CC1314R10：CC1314R10

您好、

1.我们已经确定了一个 BOM 的工作范围在 779 –930MHz 之间。 在撰写本文时、TI 尚未针对比本文档更高的频段优化 BOM；如果机会较大且您需要频率大于 930MHz 的 BOM、请与 TI 销售部门进一步讨论此问题。

2.请先确认以下内容,以帮助缩小输出功率低于预期的根本原因:

• 8mm x 8mm (RSK) CC1314R10 器件的 BOM 是您链接到的器件。
• 您使用的是 RSK 还是 RGZ 封装尺寸？ 理想运行需要使用不同的 BOM、如中所述  SWRA814  （SimpleLink CC131x 和 CC135x 系列硬件迁移指南） https://www.ti.com/lit/swra814
• 如果使用 RGZ 封装尺寸、请使用 LP-CC1312R7 设计中的 BOM。
• 是否使用 SmartRF Studio 7 测试输出功率（大概是传导测量值）？ 如果测量到 12.5dBm 的最大输出功率、则一个常见的根本原因是未启用 VDDR 升压。
• 此外、请仔细检查是否为所使用的器件封装尺寸选择了正确的“Target Configuration“：  

此致、

Zack

嗨、Zack、  

非常感谢您的支持。

<1>。 我们想获得匹配的电路和带通滤波器 L、C 值、这些值针对 920MHz 到 928MHz 的频率范围进行了优化 。

   问题在于 、当我们与晶体配合使用时、杂散发射裕度很好、但当我们将晶体更改为 TCXO 时、876.25MHz 和 972.98MHz 的杂散发射很差、有时无法通过调节。

请教我一些方法或仿真电路值、以便提高与 Epson TCXO 配合使用时的杂散噪声容限。

<2>。 我检查了和您的建议、发现低于预期输出功率的根本原因是电缆损耗引起的。 我们将 SMA 连接器直接连接到测试仪、功率为 22mW。

• 我们使用 RSK。

此致、

Musen Plus/ Binh

尊敬的 Tran：

您是否有显示 876.25 和 972.98MHz 故障的图示？

尊敬的 Diego：  

非常感谢您的支持。

这是测试图。

1.日本法官级别：<–55dBm @ 710MHz to 900MHz  

LP-EM-CC1314 在智能 RF7 下运行、显示峰值为–51.99dBm @ 876.725MHz

2.日本法官级别：<–55dBm @ 930MHz to 1000MHz  

LP-EM-CC1314 在智能 RF7 下运行、显示峰值为–54.69dBm @ 972.994MHz

测试设置：（使用 LP_EM_CC1314R10 和 LP_CC1314R10_RGZ 进行测量时没有明显变化）  

直接连接在 EM 板和频谱分析仪之间。

其他信息：

使用晶体测试通过的杂散噪声。

我们设计的一个电路板在 932.758MHz –54.14dBm 处有一些新的杂散点。

我真的希望你能给我们一些解决这个问题的想法。

此致、  

Musen Plus/ Binh

尊敬的 TI 支持团队：

嗨、 Zack、  

尊敬的 Diego：  

您能否提供支持？

此致、

Binh

尊敬的 Binh：

一种选择是添加锯过滤器 — 这是最有可能提高性能的方法。

我们的一位高级工程师正在休假、下周将回来、因此当他回来时、他的宝贵意见会很重要。 我们需要等待他的答复。

我们尚未使用 TCXO 对此进行全面研究、但您可以查看 48MHz 晶体引脚周围 VDDS/VDDR 引脚的去耦电容器、以尝试减少有问题的 48MHz 杂散。 该方法的问题（如果它确实有所帮助）是您只能针对特定杂散、因此其有效性受到限制（同样，如果它确实首先提高了性能）。

此致、

Zack

嗨、Zack、

非常感谢您的答复。

我们已经通过 SAW 过滤器进行了确认。 SAW 滤波器导致的损耗功率约为 2dB。 这导致最大输出功率<< 20mW。

尽管我们设计的测试板使用了更高的 Q 电感器、但产生的输出功率高于参考设计、但我们无法获得 20mW 的最大输出功率。

从电流参考设计（电路）的测试结果可以看出、TI 匹配的宽带 (870MHz 到 915MHz) 和较低频段显示了更好的匹配结果。

因此、我们仅需要您对日本的 920MHz 频段提出建议。 我们知道、TI 可以进行仿真以仅针对更高的频带进行优化。

此致、

Musen plus /Binh

尊敬的 Binh：

您认为当前的参考设计 同时面向 868MHz 和 915MHz 频段是正确的。  

您提到：

我们使用 CC1312 的其他产品可实现 23mW 的输出功率 。

您是否意味着使用 CC1312 (RGZ 封装/BOM) 的其他产品可实现所需的输出功率并通过 ARIB T108 频谱屏蔽？ 是否在该设计中使用了 TCXO 和 SAW 滤波器？

此致、

Zack

嗨、Zack、

我错过了使用相同基准电路键入 CC1312 ->CC1314、但在没有 SAW 滤波器的情况下、更改为使用 TCXO 更高的 Q 电感器。

“我们其他采用 CC1314 的产品可实现 23mW 的输出功率。“

它展示了一些类似这样的香薰。

我们正在考虑重新设计 PCB、并提供一些点来改善杂散。

如果您能给我们一些建议,我们将非常感谢。

此致、

Binh

我要使用不同的 TCXO（NDK 或类似工具）进行测试。 我已经看到、 TCXO 类型可能会导致比其他类型更多的杂散。 您还可以尝试在 TCXO 上使用 RC 滤波器（或仅使用血清 R）来减少上升/下降时间。  

您好：TheGhostOf

感谢您发送编修。

我将获得 NDK TCXO 样本（标准类型和低噪声类型）、并在 8 月 18 日确认结果。

我尝试了如以下电路所示的 RC。 然而,它显示出小幅的改善。

我更改了 R147 更大、但没有显示出改进。

我还尝试了 C107 和 C108 的一些值...但我没有发现有好的价值需要改进。

此致、

Binh

尊敬的 TheGhostOf：

我更改为 NDK TCXO NT2016SA 并检查了今天的杂散。

我没有展示过@TI EM 板进行的任何重大改进 T Ü V S Ü D 测试。

您有任何更新吗？

此致、

Binh