Other Parts Discussed in Thread: CC1200, CC1311P3, LP-CC1311P3
器件型号: CC1311P3
主题中讨论的其他部件: CC1200、、
工具/软件:
我之前 提交了一个 关于在低功耗和高功率路径之间切换的主题。 在该主题中、我们确定需要在 CCFG 中设置 Force VDDR、才能在低功耗路径上获得最大输出功率。
快进、我们发现、使用 Force VDDR 选项时、无线电在高功率路径上输出了大量的信道内噪声。 如果我们取消选中“Force VDDR(强制 VDDR)“选项、辐射会更好(不过,这种无线电没有 CC1200 那么干净)。 不过、我们又回到了低 PA 路径上不会实现全功率的问题。
我们如何在运行时在软件中正确调整 VDDR 电压和所谓的“升压“模式、以实现最佳的低功耗路径性能 (+14dBm)、同时在使用高功率 PA 路径时保持强制 VDDR 以优化发射? 参考手册中的文档很模糊、只说“只能通过 TI 提供的 API 使用“、因此我应该寻找哪些 API 函数来处理 VDDR 电压?
我们还注意到、CC1311P3 的信道噪声(额外能量)通常比 CC1200 更高。 这是一个已知问题、还是有一些用于清除排放的魔法设置? 我们基本上使用基于 Smart RF Studio 50kbps 2-GFSK 设置的类似调制方案、并且即使在低功耗路径上、CC1311P3 上也只有更多的侧通道能量...甚至在由 SmartRF Studio 驱动的 LP-CC1311P3 上也是如此。

