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[参考译文] CC1311P3:CC1311P3–TCXO 用法和建议的 XO 电容阵列配置 (TG2016SMN 48MHz)

Guru**** 2813875 points

Other Parts Discussed in Thread: CC1311P3, SYSCONFIG, LAUNCHXL-CC1312R1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/sub-1-ghz-group/sub-1-ghz/f/sub-1-ghz-forum/1619555/cc1311p3-cc1311p3-tcxo-usage-and-recommended-xo-cap-array-configuration-tg2016smn-48-mhz

器件型号: CC1311P3
主题中讨论的其他器件: SysConfigLAUNCHXL-CC1312R1

尊敬的 TI 团队:  

我们目前正在使用的产品 CC1311P3 使用外部 48MHz TCXO、并希望就建议的配置进行澄清。

我们选择了以下 TCXO:

根据 TCXO 数据表、不建议在输出端使用串联电容器。 我们希望在以下方面得到确认和指导:

  1. 串联电容器要求

    • 由于 TG2016SMN 未指定所需的串联电容器、能否确认在将此 TCXO 与 CC1311P3 连接时是否需要串联电容器?

    • 如果出于信号完整性或驱动电平原因而需要串联电容器、您能否推荐合适的值?

    • 或者、是否有专门为 CC1311P3 验证的 TI 推荐的 48MHz TCXO 器件?

  2. SysConfig 中的 XO 电容阵列配置

    • 如果不需要串联电容器、应如何在 SysConfig 中配置 Δ 电容器阵列(内部 XO 电容调优)?

    • 是否应根据 TCXO 负载电容规格调整电容器阵列值?

    • 或者、使用驱动的 TCXO(与晶体相反)时、内部电容阵列设置是否无关紧要?

    • 是否有推荐的方法来验证和微调此设置(例如频率误差测量,射频性能优化等)?

感谢您提供有关正确硬件配置和 SysConfig 设置的指导、从而确保实现出色的射频性能和频率稳定性。

image.png


image.png提前感谢您的支持。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    1.串联电容器。 根据 TG2016SMN 48.000000MHz MCGNNM 数据表、需要一个串联电容器、该电容器的容值应为 10nF_min 这是 LAUNCHXL-CC1312R1 设计中使用的器件型号。

    e2e.ti.com/.../5635.3V0_5F00_TG2016SMN_5F00_X1G0054410316_5F00_en.pdf

    有关 TCXO 支持的更多信息、请参阅应用手册 SWRA640 第 7 节: https://www.ti.com/jp/lit/swra640

    建议使用以下原理图连接 TCXO:

    建议添加 10 pF 的 Cload 和 10 nF_min 的直流阻断电容器 在我们的原理图中、直流阻断电容 (C87) 显示为 1nF、但该电容应为 10nF_min 我还会添加一个串联元件 R2。  

    2.对于 XO 使用、请遵循 应用手册 SWRA640 第 6 节: https://www.ti.com/jp/lit/swra640

    此致、

      Richard

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢更新 RGW 。