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器件型号：CC1312R 您好！
我们使用内部负载电容器、48MHz XO 在868MHz 频带下运行。
但我们无法找到内部电容如何随温度变化？
如果我们在室温下调至7pF、并且内部电容阵列在85度时为7.7pf (+10%)、则这种变化将增加晶体温度特性。
此致
无需更多导线
您好！
我们使用内部负载电容器、48MHz XO 在868MHz 频带下运行。
但我们无法找到内部电容如何随温度变化？
如果我们在室温下调至7pF、并且内部电容阵列在85度时为7.7pf (+10%)、则这种变化将增加晶体温度特性。
此致
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您好！
与晶体中的漂移相比、电容阵列值与温度之间的变化似乎非常小。 因此、您可以在室温下调整电容阵列值、以获得更好的频率精度(尽可能接近)。 晶体漂移是这里的主要因素。
下面是频率漂移与温度间的关系图。 该图包括 Crystal + Cap 阵列。 用于此测试 的晶体是 NX2016SA 48.000MHz EXS00A-CS05517、这是我们的参考设计中的晶体。
谢谢、
PM
