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[参考译文] CC1352P:P 版本上的内部电容器阵列

Guru**** 2482105 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/sub-1-ghz-group/sub-1-ghz/f/sub-1-ghz-forum/1242241/cc1352p-internal-cap-array-on-p-version

器件型号:CC1352P

你(们)好!  

CAP 阵列仅限于在某些情况下使用、在硬件注意事项文档中按如下文字进行处理。有点混乱。 您能解释一下吗?

1.我想再次确认是中国的频段还是20dbm? 或者在20dBm 配置下使用哪个频带、不建议使用内部电容器?  

即、如果欧盟/美国频段+ 20dBm、是否可以使用内部电容?

2.关于"电容归零"。 这意味着没有 Delta (Δ 值=0)还是 CAP 值=0pF? 根据 表6-1、看起来无法将内部电容设置为0。 电容器阵列增量

#define SET_CCFG_MODE_CONF_XOSC_CAP_MOD 0x1 //不应用电容器阵列增量

内部电容器阵列可以用于大多数用例、 但是、如果系统需要符合 ARIB STD T-108和中国关于470–510MHz 频带的法规以及使用+20dBm PA 时、建议使用外部晶体负载电容器并将内部 XOSC 调谐电容器设置为零。 有关如何设置内部 XOSC 调谐电容器的信息、请参阅第6.4节。

谢谢。  

Br. 阿尔宾

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Albin、

    1.建议始终对 P 器件使用 xtal 负载电容器(20dBm)、因为这会降低晶体杂散(n x 48MHz)。

    2.  SWRA640第3.1.1节。 将更新为以下文本:  

    "内部电容器阵列可用于大多数用例、但建议使用外部晶体负载电容器并设置内部 XOSC 调谐电容器 s 至 最小值 "