[参考译文] CC1120EMK-868-915：为什么参考设计中使用了很多47nF 电容器来代替100nF 电容器？

通常、射频参考设计中 VDD 引脚去耦合可能具有给定的值、以过滤某个频率下的杂散(如果您查看 CC1101参考设计、则去耦合根据引脚具有不同的值)  

CC1120参考设计仅使用给定的值进行了测试、因此具有不同值的行为未知。 但我的印象是、根据我在某一点做的实验、这些值对于这个并不重要。 我逐个移除去耦电容、并在移除时查看输出频谱。 唯一一个 产生差异的是 AVDD_XOSC 处的去耦。 我会生产几个使用100nF 去耦的电路板、看看您是否看到任何性能差异。

 C61是内部 LDO 上的负载、将该值更改为1uF 可能会导致该稳压器不稳定、因此 我强烈建议保留该值。  

尊敬的 David：

GhostOf 有几个优点(如往常一样)- TI 已使用47nF 电容值对 CC1120设计进行了广泛测试、并且尚未使用100nF 对其进行测试、因此影响是未知的。 由于47nF 可产生良好的性能、并且这是推荐的设计、因此没有理由测试其他值(因为建议始终遵循参考设计)。

因此、您可以安装100nF 的值、但接受附带的风险(并根据该风险决定所需测试的级别)。

C61值应保持为220nF、同样也如 GhostOf 所述。

此致、

扎克