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[参考译文] LAUNCHXL-CC1312R1:关于杂散。

Guru**** 2468610 points
Other Parts Discussed in Thread: CC1312R, LP-CC1312R7

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/sub-1-ghz-group/sub-1-ghz/f/sub-1-ghz-forum/1425089/launchxl-cc1312r1-about-spurious

器件型号:LAUNCHXL-CC1312R1
主题中讨论的其他器件:CC1312RLP-CC1312R7

工具与软件:

嗨、团队:

920MHz 上存在寄生48 MHz 间隔。
我使用 RF Studio 7来更改滤波器设置、但没有效果。
您能否评论一下为什么会出现这种虚假现象以及如何抑制它?

BR、
Kengo。

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    您好!

    由于主晶体使用此 频率生成射频、因此载波周围存在自然的48 MHz 杂散。 但是、48 MHz 杂散在监管限制范围内、因此在监管测试机构进行测试时、它们应该是一个问题。

    这些值应低于监管限制、如果不符合、 请发布显示48 MHz 杂散的频谱图?  

    您是单独使用 CC1312R 还是与 FEM 一起使用?

    此致、

      Richard

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    结束主题、因为这是一个多帖子的问题。

    e2e.ti.com/.../cc1312r-48mhz_spurious

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    尊敬的 Richard:

    感谢您的答复。
    在创建数据表时是否考虑了该晶振问题?
    我想知道为创建数据表采取了哪些措施、因为它仅处于数据表的值之内。

    TX 功率设置为12dB、几乎不在数据表中。




    BR、
    Kengo。

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    尊敬的 Kengo:

    您的电路板上是否有48 MHz 晶体负载电容器?

    ARIB STD-T108将需要这些电阻。

    BR、Richard

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    尊敬的 Richard:

    很抱歉我的延迟回复。

    我使用了您的 EVM。
    所以,我不能理解为什么虚假出现。
    然后、即使在调整 TCXO 的发送功率和容性负载后、也超过了标准值。
    您能告诉我如何减少这个杂散吗?

    您的 EVM 没有出现吗?

    BR、
    Kengo。

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    如果使用 TCXO:TCXO 可能会根据 TCXO 的类型提供杂散。 我曾经测试过3个不同的器件、这些器件给出了不同的性能。 作为一项测试、我会订购几个具有相同封装尺寸的不同 TCXO、并检查了对杂散的影响。   

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    有。 但效果不好。

    >Richard、
    我需要您的帮助。
    因为我必须尽快进行认证测试。

    BR、
    Kengo。

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    请发布原理图的一部分、其中显示了使用的确切 TCXO 以及如何将其连接到 CC1312R。

    对于引脚45 (VDDR)和引脚48 (VDDR_RF)、您有多大的去耦电容值?

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    您好、RGW、

    对不起、我从这边过来。

    相关器件的电路图如下所示。

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    您好!

    您是否遵循 SWRA640应用手册中 TCXO 部分的所有建议?

    https://www.tij.co.jp/jp/lit/swra640

    请特别注意以下陈述:

    使用 TCXO 时、必须减小内部负载电容器以避免加载 TCXO。 所需的设置将取决于所选的 TCXO。 关闭电容器阵列可能会导致某些 TCXO 的输出摆幅过大。 在这些情况下、电容器阵列中的电容器将有助于降低电压摆幅。 应正确设置电容器阵列的值、从而使 X48M_P 上的摆幅(最小和最大摆幅)处于 CC13x2数据表中设置的值的范围内。 进行测量时必须小心、以避免测量不会增加该节点的负载、否则会影响测量结果。

    TCXO 的输出摆幅受到限制很重要、否则会导致更大的时钟杂散。

    确保 TCXO 上的负载正确、因为根据数据表、它希望看到 10 kΩ//10 pF

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    您好!

    建议使用 200欧姆串联电阻器、并且启用电容阵列将是理想的起点。

    请告诉我这是否会减少时钟杂散。

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    200 [Ω]以串联方式连接到 TCXO 输出。

    杂散会减少、但不符合规范。

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    Cap 阵列增量 0 0 -40 -35. -30. -25. -20.
    0x00 0x00 0xD8 0xDD 0xE2 0xE7 0xEC
    电容[ pF ] 6.7. 6.7. 2.1. 2.6. 3.0 3.4. 4.0
    串联电阻 0[μ Ω Ω μ V] Ω μ V] Ω μ V] Ω μ V] Ω μ V] Ω μ V]
    TX 频率[MHz]: 920.6000
    項目 μ A ES2-12. ES2-12. ES2-12. ES2-12. ES2-12. ES2-12. ES2-12. 下限 上限
    位置可视化 30[MHz]~710[MHz] 频率[MHz] 143.968 143.968 95.960 95.960 95.960 95.960 143.968
    级别[dBm] -55.7. -60.6. -58.5. -58.9. -60.0 -60.1. -60.9. -36.
    710[MHz]~900[MHz] 频率[MHz] 776.557. 824.475. 824.323 824.456 824.570 824.342 824.456
    级别[dBm] -52.9. -54.9. -53.4. -53.4. -54.2. -54.4. -54.7. -55.
    900[MHz]~915[MHz] 频率[MHz] 913.394. 913.433. 913.553. 913.484. 913.347 913.427 913.439.
    级别[dBm] -60.0 -60.5 -60.8. -60.6. -59.4. -60.9. -60.9. -55.
    930MHz]~1000[MHz] 频率[MHz] 968.6. 968.6. 968.6. 968.6. 968.6. 968.6. 968.6.
    级别[dBm] -52.4. -54.9. -60.3. -60.3. -59.7. -59.0 -58.4. -55.
    1000[MHz]~1215[MHz] 频率[MHz] 1064.4 1016.8. 1016.9. 1016.7. 1016.9. 1016.8. 1016.9.
    级别[dBm] -52.0 -51.8. -50.5. -50.7. -51.4. -51.7. -51.8. -45.
    1215[GHz]~5000[MHz] 频率[MHz] 1841.0 1841.0 1841.0 1841.0 1841.0 1841.0 1841.0
    级别[dBm] -51.8. -51.9. -51.5 -51.6. -51.8. -51.3. -50.9. -30.
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    使用 200欧姆的串联电阻器和电容器阵列。

    电感

    CC1312输入电平:0.66[Vp-p]

    NT2016S B 输出电平:(min)

    CC1312 48 MHz 时钟输入(TCXO):更多需要0.8[Vp-p]

    因此、 使用 200欧姆的串联电阻器不符合标准?

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    您好!

    我们通常通过启用200欧姆电容器阵列的标准测试。 似乎您在去耦电容器上对焊盘48和45使用了100nF 值。 通过使用150 pF、您应该能够将时钟杂散进一步降低2dB。 你试过这个吗?  

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    我还没有尝试150pF 去耦电容器。
    我将查看它。

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    我向 pF 和 C15添加了150 [C14]去耦电容、但没有变化。

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    您好!

    是否可以稍微降低输出功率以使输出功率低于-55 dBm?

    我们通常具有小于-70dBc 的杂散

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    降低发送功率不会改变 fc±48 [MHz]的杂散。
    在评估板上观察到相同的症状。

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    您能否仅使用晶体而不是 TCXO 来测试这一点?

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    没有可测试晶体的环境。
    然而、相似的症状已经在评估板上被证实。

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    您好、RGW、

    随附是在 EVM 上执行的测试结果。
    e2e.ti.com/.../4111.Test-result.pdf
    我使用了三个 EVM 来检查结果、但超出了数据表中保证的伪波结果。
    我相信这是一个问题。
    您能否对 EVM 进行类似的评估并分享结果?

    BR、
    Kengo。

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    您好、RGW、

    您能给我您的评论吗?

    BR、
    Kengo。

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    您好!

    数据表测量结果是基于使用带 CC1312R 的晶体得出的。

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    RGW、

    我知道了。
    我们的结果是在您的 EVM 上进行了测试。 所以使用晶体。

    正如我之前所说的、您能否在测试条件下检查 EVM 的杂散?

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    您好!

    我们将仅使用晶体在我们的 EVM 上再次进行此检查。 很快让您了解结果。

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    您好!

    当我在标准 LP-CC1312R7电路板上执行该测试时、这通过了 T108规范。

    时钟频率杂散约为-68dBc;请参阅所附的 SA 图片。

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    测量方法不正确。
    RBW:100[kHz](TX 频率≦710[MHz])
    RBW:1[MHz](710[MHz]< TX 频率≦900[MHz])
    RBW:100[kHz](900[MHz]<TX 频率≦915[MHz])
    RBW:100[kHz](930[MHz]< TX 频率≦1000[MHz])
    RBW:1[MHz](1000[MHz]<TX 频率)

    是否考虑了连接电缆的损耗?

    来判断、通过查看图像、

    载波电平(922[MHz]):12.13[dBm]

    杂散电平(922[MHz]+48[MHz]):-55.68[dBm](12.13-67.81 μ)

    如果电缆损耗 大于0.68dB、则说明为"ti"。

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    根据频谱分析仪测量结果、在最坏情况下并采用类似的 RBW 设置的情况下、执行了最大保持时间测量、旨在显示 LP-CC1312P 的默认设置的性能。

    电缆损耗小于0.5dB

    LP-CC1312P 的晶体上没有会导致更大48 MHz 时钟杂散的外部电容器。 当外部电容器与晶体一起使用时、时钟杂散将进一步降低2-3 dBS。

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    RGW

    我们的测量结果为 CC1312R1。 不是 CC1312P。
    为何要基于 CC1312P 进行测量?  
    我认为带宽有所不同、但内部的1312P 和1312R1是相同的?

    BR、
    Kengo。

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    您好!

    CC1312R 和 CC1312P 在标准射频端口上具有相同的无线电。

    P 版本具有高功率选项 PA。 在其他方面、它们是相同的。

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    RGW

    您能否就 CC1312R1给我评分?
    我想在相同条件下对它们进行比较。

    BR、
    Kengo。

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    您好!

    如前所述、我们已证明、我们采用所有设计建议通过了此测试、但裕度很小。 如果您需要更大的设计裕度、在实用方面、唯一的选择是使用 SAW 滤波器来抑制时钟杂散。

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    尊敬的 Kengo:

    新测量:

     .

    从附加的测量结果中可以看出、我们 采用默认 BOM 通过了 LP-CC1312R7上的 ARIB-T-108标准。 测得的输出功率为11.89dBm、+48 MHz 杂散为-56.58dBm;这对于插入损耗为0.7dB 的实验室电缆未补偿。 因此、在补偿电缆 IL 时、输出功率为12.59dBm、+48 MHz 杂散为-55.88dBm。 测试限制为-55dBm、因此 LAUNCHXL-CC1312R7的默认 BOM 具有仅0.88dBm 的设计裕度。

    LP-CC1312R7 上的默认 BOM 在 HFXtal 上没有外部负载电容器、因为这主要面向 ETSI 和 FCC。 为了将+48 MHz 杂散裕度提高到 ARIB-T-108更可接受的水平、必须满足上述要求。 通过在 HFXtal 上添加外部负载电容器、预计+48 MHz 杂散会降低2dB。 这时大约需要2.88dB 的设计裕度。

     如果2.88dB 的设计裕度不够、则必须使用 SAW 滤波器、该滤波器将完全消除时钟杂散。

    现在结束该主题帖、然后通过 CC 向您发送一封与当地销售团队的电子邮件。

    谢谢。