器件型号: TMUX1308A-Q1
您好的团队、
您能否告知数据表中的 ID (OFF)、ID (ON)、IS (ON) 漏电流值
在 VDD = 5V 时、对于 VIN = 0V 和 5V 的情况?
数据表规定的 VIN 为 VDDx0.8 和 VDDx0.2。
我想知道如果 VIN 降至 0V 或增加到 5V (=VIN VDD)、泄漏电流是否会增加。
此致、
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器件型号: TMUX1308A-Q1
您好的团队、
您能否告知数据表中的 ID (OFF)、ID (ON)、IS (ON) 漏电流值
在 VDD = 5V 时、对于 VIN = 0V 和 5V 的情况?
数据表规定的 VIN 为 VDDx0.8 和 VDDx0.2。
我想知道如果 VIN 降至 0V 或增加到 5V (=VIN VDD)、泄漏电流是否会增加。
此致、
尊敬的 NIR-SAN:
我有一个后续问题。
条件:Vcc = VDD = 5V、
通道 A 源被上拉至 Vcc、漏极连接 (SELECT_ON) 到具有 0.2uA 漏电流的 MCU GPIO。
通道 B 源上拉至 Vcc、而不是 SELECT_OFF
在这种情况下、通道 B 的 (OFF) 最大值是否为 800nA、对吧?
通道 A 的 IS (ON) 是多少?
由于漏极连接到具有 0.2uA 漏电流的 MCU GPIO、因此 IS (ON) 将为 0.2uA?
或者、除了 0.2uA 之外、我是否应该考虑最大 800nA 的 IS (ON)?
2.您能否提供以下条件下 3 批次 x30 单元的 ID(ON)、IS(ON) 测量值?
测试条件:
VDD = 5V
Ta = 125°C
VD = 0V 或 5V、VS = 0V 或 5V
此致、
你好、 Tsuji-San、
1.是的,正确。 我无法预测这种情况下将有多少电流 (on)、但我们保证最大电流为 800nA。 总泄漏电流为以 IS (ON) 为单位的值加上 0.2uA。 所以、是的、就像您说的、这是 0.2uA 泄漏电流的增加。
800nA 最大漏电流是在 125°C 下 5V VDD 下测得的。 VD 和 VS 为 1V 至 4V。 
数据表中的测试条件与您在此处要求的测试条件非常相似、因此我要说的是漏电流也应非常接近 800nA。
谢谢、
NIR