Other Parts Discussed in Thread: TS3A5223
器件型号: TS3A5223
在我们的应用中、我们的 TS3A5223 经常出现故障。
具体来说、SEL 引脚和 IC 内的 Vcc 引脚之间存在内部短路(低阻抗)。
即使我们尝试使用电阻下拉 SEL 引脚、它仍然通过 IC 内部变为高电平。
我们正在试图重现这一现象、但未能做到这一点、也未查明原因。
您能否告诉我们、导致这种现象的可能原因是什么?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
你好 NIR-San、
感谢您的答复!
我们能够重现客户现场实际发生的故障(Vcc 和 SEL 之间的内部短路)。
下面介绍了我们进行的实验、假定的故障原因以及对策。 


问题
1. IC 内部发生了哪种与上述故障有关的现象?
为什么 COM1 和 Vcc 之间的大电流会导致 SEL 引脚出现故障?
2.上述假定和对策是否适当?
3.是否有其他建议的对策?
我们非常感谢您的答复。
谢谢、
Yuya
您好:Yuya-San、
1.建议运行条件下,不能在 I/O 上传递高于电源 (Vcc ) 的电压信号 (COM、NC、NO )。 
在您的实验中、当 Vcc = 0V(接地)和 VCOM = 3.3V 时、您可以完全打破这些限值。 这将导致 COM 和 VCC 之间发生内部短路。 这是因为它们在内部连接了一个二极管。 该操作会使其反向偏置并在 COM 和 VCC 之间内部产生短路。
SEL 也通过二极管连接到 VCC。 由于有大电流流过、它们之间可能会发生短路。
2.不, 完全不建议电容器实现。 客户正在以这种方式滥用该器件。
3、我唯一的建议是解决这个问题最简单的一个, 在建议的运行条件下运行。
VCC 必须首先为 3.3V、然后您可以在 COM 和 SEL 引脚上具有高达 3.3V 的电压。
更多信息可在下面和数据表中找到。 
谢谢、
NIR
您好、NIR-San
感谢您的答复。
数据表包含以下说明、根据电容值、我们认为在 Vcc 上部署电容器是合适的电路设计。 
此外、TS3A5223 的 Vcc 与许多其他 IC 共享、因此这些 IC 的去耦电容器也并联安装。
因此、Vcc 和 GND 之间的总电容不可避免地会变大。
当然、我们认为遵循建议的上电顺序至关重要。 但是、由于连接的应用程序属于客户、因此我们无法完全保证遵守最终的顺序 因此、我们需要实施措施、确保即使采用了不正确的上电顺序、也不会发生故障。
COM 和 Vcc 之间以及 SEL 和 Vcc 之间的二极管是否是共享/公共元件?
此外、这些二极管的额定电流是多少?
我们认为、通过添加阻尼电阻器将电流保持在这些二极管的额定值范围内、可以防止出现故障。
谢谢、
Yuya
您好:Yuya-San、
您是正确的、我们建议在电源引脚附近放置一个去耦电容器。 其目的是滤除来自电源的交流噪声、以保持干净的直流信号。
根据您依靠对多路复用器施加应力的简单事实、不应该像您所解释的那样使用。
我认为您无法保证正确的上电序列。 因此、我们无法保证多路复用器的可靠性。
我不确定您所说的“共享/常见组件“、您能解释一下吗?
遗憾的是、我们没有关于二极管电流限制的信息、但看一下类似器件、我估计值为 50mA。
是的、我同意。 我还建议添加与 I/O 引脚串联的限流电阻器。 它应该有助于减小电流。
谢谢、
NIR