您好！
我将 TS3A27518E 用于具有来自 I.O.的 SDIO 总线的开关 MMC 或 SD 卡 将 USB2244 (用于更高速度的硬件质量存储)连接到具有 SDIO 的 MCU。 EN 信号通过100K 电阻器接地。 IN1和 IN2 连接在一起、连接到 MCU GPIO、并通过100K 电阻下拉至 GND。 USB2244连接到 NC 信号并且工作正常。 MCU 未连接到任何信号、且 MCU 无法访问 SD 卡。 因此、我决定将 TS3A27518E 解焊并将 COM 信号连接到不带过孔的导线-并且它运行良好(MCU 可以访问 SD 卡、所有操作都没有问题)。 IN1和 IN2上的信号正确(0V 或3、3V -正如我设置的开关信号... COM-NC 为0V、COM-NO 为3V)。
连接了直通原理图、布局和线缆修改。
注意：未放置模式中的 R603 (DNP =请勿放置)
您好、Marvin、
在挖掘一些旧线程后-我认为可能是总线电容过大-因为还有其他问题、由于总线电容更高、此部件难以访问 SD 卡。
如果可能的话-我们确实有一个多芯片解决方案来帮助降低电容-我认为这可能是问题的根本原因。
TMUX1574是一款具有低电容的4通道2：1开关->您不会牺牲性能、您可以使用其中的两个来缩小此开关的尺寸(尺寸比较如下)、 无论采用何种封装类型1ku、1574的定价都将更低(2 1547小于2 TS3A27518E)。 可以端接第2个 TMUX1574的未使用端口、以帮助提高50欧姆电阻器的高速性能。
TS3A27518E 封装选项和封装尺寸：
TMUX1574封装选项：
我认为这应该解决这个问题-因为我怀疑总线电容是问题-因为原理图/布局的任何内容看起来都不正确、解决方案是移除开关(即额外的电容)。
请告诉我这是可行的选择-或者您有任何其他问题！
最棒的
Parker Dodson
您好、Marvin、
两个开关之间的差异可能较大-但该差异(除非在最大工作条件下运行 IC)很可能仍在数据表中列出的规格范围内。 该器件的规格非常一致、因此我认为您不会遇到很多问题。
下面简单介绍一下您应该能够实现的目标：
电容、导通电阻和导通电阻不匹配将决定器件之间存在多少误差。
电容：寄生电容的最大因素是输入频率：
随着信号频率升高、导通电容将降低。 这意味着对于更高频率的信号、RC 时间常数将更小。 对于10MHz 以上的信号、您将看到< 4pF；如果您的频率高于30MHz、则可以看到< 2pF。 这在各个器件之间非常一致-因此、由于所有输入信号的频率相同、因此该器件增加的容量将非常低-您可以预期某些偏差、但在更高频率的信号下不会超过 pF。
2.导通电阻-此部件具有平坦的导通电阻、使其能够在整个电源电压范围内保持相当一致的导通电阻。 对于3.3V 电源、整个温度范围内的导通电阻将如下所示：
对于25°C 时的3.3V 电源(底部图-黑线)、输入电压略有增加(从1.1欧姆增加到1.4欧姆)
即使在较高温度下运行、电阻也不会发生太多或快速的变化、因此对于所有通道而言、变化都非常一致。
3、导通电阻不匹配：通道间导通电阻不匹配导致 传播延迟差异、进而导致数据/时钟不能正确跟随。 但是、对于该器件、我们将查看典型值为0.07欧姆、最大值为0.28欧姆、最大值仅在高温应用中存在。 我应该注意 的是、TS3A27518E 的典型失配为0.3欧姆、最坏情况为0.8欧姆-并且不现实的是、即使是两个不同的 TMUX1574之间的失配 比 TS3A27518E 的大-我将更详细地介绍 这是下一个要点。
通道间偏移：这基本上是由于传播延迟差异导致的信号偏移-主要是由通道不匹配引起的。 这将取决于封装-但经验法则是、较小的封装会降低传播延迟和偏斜。
Y 轴以皮秒为单位。 偏斜与 C_ON、R_ON 和 R_ON 不匹配有关。 对于 QFN (RSV)封装、我们通常会看到~5ps 的偏斜、即使2个 IC 之间存在一些较大的差异、此偏斜仍然很可能小于 TS3A27518E 、因为通道不匹配通常比 TMUX1574最坏情况下的通道不匹配更差。 我认为偏斜的 ps 不足以阻碍应用-但总线电容要低得多、您将看到性能得到提高。
话虽如此、我们有3个可能对您有用的应用手册：
如果您对1574有任何其他问题或其他任何一般性问题、请告诉我！
最棒的
Parker Dodson
