数据表规格 CNC (on)、CNO (on)、CCOM (on)
[1]
假设信号从[主机]->[无->COM]->[设备]路由;信号是否会看到与组合 CNO (ON) + CCOM (ON)相关的上升时间?
[2]
基本而言、总线电容将是组合的 NO/NC + COM 电容、对吧? (55pF + 54.5pF)
[3]
该电容是否介于信号线和 GND 之间?
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数据表规格 CNC (on)、CNO (on)、CCOM (on)
[1]
假设信号从[主机]->[无->COM]->[设备]路由;信号是否会看到与组合 CNO (ON) + CCOM (ON)相关的上升时间?
[2]
基本而言、总线电容将是组合的 NO/NC + COM 电容、对吧? (55pF + 54.5pF)
[3]
该电容是否介于信号线和 GND 之间?
您好 Darren、
您不会将电容加在一起。 导通电容是开关导通时接地电容的测量值。 这就是关断电容和导通电容之间出现大跳变的原因、这通常是因为开关闭合时导体表面面积变大。
我要说、这个数据表有点令人困惑、因为在5V 电源情况下、它们是不同的值-为了安全起见、最好假设两者中较大的值-但它们是指相同的电容。
对于您的具体问题:
信号上升时间是多路复用器输出的转换时间+ RC 充电时间的组合。 如果开关已经没有-> com 并且没有连接负载、则上升时间只是一个 RC 充电电路 、其中时间常数为 R_ON * C_ON。 然而、当信号从 NC 切换到 NO 时、也会有 Toff 和 Ton 时间发挥作用。 但是、如果多路复用器输出不仅仅是其输出电容、那么输出电压上升将更多地依赖于负载、而不是多路复用器。
不使用最大的电容是安全的-如果不包括漏极电容+闭合开关本身的任何电容、则 NC/NO 侧的关断至导通电容不会跳~3倍。
3.是的,这些电容器是从 I/O 线路到接地的。
如果您有任何其他问题、请告诉我!
最棒的
Parker Dodson
您好、Parker、
如果你能回答,让我确认两点。
1) 1)常开或常闭时的电容来自实际测量值、如 TS5A23159 DS 的图17所示、对吧?
由于内部晶体管网络的复杂性、这些值是测量的、而不是计算的? (DS 没有任何功能方框图显示有关引脚功能的 MOSFET/晶体管设置)
2) 2) 55pF 和54.5pF difference...it 看起来像是 COM 的 C 低于 NO/NC。 让我思考一下从 COM 到 NO 或 NC 的内部晶体管等结构、您会增加~0.5pF。 听起来是对的吗?
您好、Parker、
快速跟进、您能否提供(离线?) 此类模拟开关的任何等效电路?
我正在查看图 2从这里出发: https://www.ti.com/lit/an/szza030b/szza030b.pdf
这种情况是否描述了设置、以及电容是如何相关的...?
Darren
您好 Darren、
参考文献图2是开关的正确模型。

但是、出于应用考虑-该模型简化为行为模型。
C_IOX -这是 该 I/O 引脚接地的电容-它也称为"关断电容"、通常在较大的配置(2:1、4:1、8:1等)上、漏极关断电容将会更大、因为其面积较大。 C_CHNL 是用作开关的 MOSFET 的通道电容。 CF 是馈通电容、高频信号可以从输入中释放到输出中。
当开关关闭 CF 时、可以忽略开关路径、将其精确建模为 RC 电路。 其中 R 是通道的导通电阻、C 是 C_IOA + C_CHNL + C_IOB = C_ON 的组合。
如果您仍然希望我离线跟进您的问题、请告诉我-我没有直接离线、因为我们提供的这些信息可以让我们分享我们发布的内容。
最棒的
Parker Dodson