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器件型号：SN74CBT3125C 主题中讨论的其他器件： SN74LVC1G139、 TS12A44514、 TS12A44515、 TS12A44513
大家好、
我对 SN74CBT3125C 有疑问。
当 VCC 和1A 短接时、是否为1B 输出？
当 VCC-0.8V 或更高的电压输入1A 时、SW (FET)是否关断？
此致、
石田山
大家好、
我对 SN74CBT3125C 有疑问。
当 VCC 和1A 短接时、是否为1B 输出？
当 VCC-0.8V 或更高的电压输入1A 时、SW (FET)是否关断？
此致、
石田山
Ishiwata、您好！
功能表中列出了器件操作：
当/OE 为低电平时、相关的1位总线开关打开、A 端口连接到 B 端口、 当/OE 为高电平时、相关的1位总线开关关闭、且 A 和 B 端口之间存在高阻抗状态。
您的第二个问题与 Vcc =0时有关吗？
当 Vcc 为0V 时、输入可以是-0.5V 至7V 范围内的任意值、并且由于该器件完全符合使用 Ioff 的局部断电应用的规范、输出将保持在"高阻抗"状态。
谢谢
Saminah
Ishiwata、您好！
数据表中未提及 VT (阈值)电压-但与 CBT 开关的结构相关、CBT 开关是 NMOS 串联开关、VT 是 NMOS 的阈值电压-请参阅此处 有关开关和多路复用器中此开关结构的更多详细信息： 常见的开关架构是什么？
VCC = 5V 且 4V 的输入处于建议的工作范围内、因此开关应将信号传递到端口 B。
我询问 VIH 和 VIL 电平、因为开关更改内部信号路径所需的控制引脚(OE)上的电压电平需要处于建议的工作条件下。
请告诉我详情是否有帮助-您可以在 saminah_c@ti.com 分享原理图供查看
此致
Saminah
您好、Saminah、
感谢你的答复。
我会将原理图发送到您的邮箱地址。
我对以下规格有疑问。
当 VCC = 5.5V (MAX)时、VIO = 5.5V (MAX)是否可接受？
VIO 是否必须低于 VCC？
此致、
石田山
Ishiwata、您好！
如建议运行条件中突出显示的那样、VIO 可高达5.5V。
但是、正如我在上面解释的、具有 NMOS 串联结构的 CBT-C 开关只能传递比 Vcc 电压大约1V <的信号。 这意味着如果端口 A 上的输入信号为5.5V、则当开关打开时、端口 B 上的电压将为~4.5V。
请参阅以下主题中的更多详细信息。
此致
Saminah
您好、Saminah、
感谢你的答复。 感谢您的支持。
我想确认我的理解。
当 OE 为高电平时、TS12A44514输出。
当 OE 为低电平时、TS12A44515输出。
此致、
石田山