Other Parts Discussed in Thread: SN74CBTLV3257, TMUX1511
大家好、
我的客户希望在25M 或50m 数据速率系统中使用该器件。 何时进行信号完整性仿真、它们是否可以在此处使用导通电阻器5欧姆？
在我看来、它不能、因为并联电容器的电阻器将比 RDSon 5欧姆更小。
那么、我们需要在仿真中使用哪个值、或者我们是否有 SI 仿真模块？
谢谢。
弗兰克、
您可以添加串联电阻和并联电容来对开关进行建模。 数据表中的导通和关断状态电容值是在引脚上测量的、基本上会将以下所有电容组合在一起。
此图 比较 了时钟频率为75MHz 的 SN74CBTLV3257器件到路径的直通路径。 您可以看到舍入边沿略有变化、但问题不多。 这将与 SN74CBTLVXXXX 系列的性能类似。
谢谢、
Adam
弗兰克、
SN74CBTLV3245器件是较旧的器件、其数据不超过数据表中规定的数量。
对于电容值、请使用 CIO、因为 CI 是控制逻辑引脚的电容、而不是 I/O 信号路径。
对于 Ron、您可以放心使用最坏情况值15欧姆、但当输入电压接近此传输栅极开关的电源轨或接地时、该值应小于该值。
下面是一个变速器栅极类型开关和输入电压上的 Ron 响应示例、您可以看到、当输入电压 介于 IC 电源轨之间时、Ron 会更高。
您要连接到该设备的是什么？ 如果您使用的是低电流数据传输应用、则开关的10 Ω Ron 两端的电流为10mA、电压降仅为100mV、不应接近于 接收器的 VIH。
如果您想要一款包含更多详细信息以及 s 参数和 IBIS 模型的器件、可以查看全新的 TMUX1511器件。
谢谢、
Adam
