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器件型号：TS5A3357 TS5A3357 (和类似的开关)是否有内置的负电压发生器(NVG)、正如某些仅需要正电源/控制电压的其他开关(即 GaAs 类型的射频开关)中的情况一样？
如果是、NVG 的杂散泄漏到开关通道/信号的强度如何？
我之所以提出这一要求、是因为我们打算使用 TS5A3357在具有可切换 VCXO 的 PLL 中切换振荡器调谐电压。
Websurfer、
TS5AXXXX 器件没有内置负电压发生器(NVG)。 这些类型的信号开关采用硅 CMOS 工艺、是传输门 NFET 开关(NFET 与 PFET 并联)。
您可以在 本应用手册的前几页中看到更多信息、这些页面描述了3种不同类型的 FET 开关。
http://www.ti.com/lit/an/szza030/szza030.pdf
谢谢、
Adam