尊敬的 团队:
这是来自台达塔队的 Kevin。
最初、客户使用 已停产的 TS2DDR2811。
因此、我们建议 使用 SN74CB3Q3245RGYR、但它是一款低有效器件。
我检查了产品系列、似乎我们没有高有效器件
我们是否有 TS2DDR2811等高电平有效器件、可以直接替换?
或如何处理它
BR
Kevin
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尊敬的 团队:
这是来自台达塔队的 Kevin。
最初、客户使用 已停产的 TS2DDR2811。
因此、我们建议 使用 SN74CB3Q3245RGYR、但它是一款低有效器件。
我检查了产品系列、似乎我们没有高有效器件
我们是否有 TS2DDR2811等高电平有效器件、可以直接替换?
或如何处理它
BR
Kevin
尊敬的 Kevin:
您可以使用 SN74CB3Q3345? 该器件具有两个 OE 引脚、1个为高电平有效、1个为低电平有效。
要将其用作具有1个高电平有效 OE 引脚的器件、您可以将低电平有效 OE 引脚连接到逻辑高电平。 这会实现相同的结果。
我在这里找到了类似的帖子:
此致
Saminah
尊敬的 Kevin:
SN74CB3Q3345RGYR 等效于 SN74CB3Q3245RGYR、但3345允许输出使能高电平。
3245的逻辑方案为:低电平有效。
而3345的逻辑方案为低电平有效或高电平有效。 3345是如何实现这一点的、而不是 N.C. 引脚、它具有第二个使能端、如下所示:
如果 OE 引脚为高电平或~OE 引脚为低电平、开关将打开。 也就是说、只需要使用其中一个使能引脚、并且可以将~OE 引脚连接到 VDD、以确保只有 OE 引脚控制开关。
这是我们最接近的替代方案、在该配置中具有高电平有效逻辑选项。
最棒的
Parker Dodson