尊敬的 TI 团队：
我叫 Igor Kuksin。
在我们的应用中使用该多路复用器很有趣、我有一个问题。
数据表中提到、如果控制输入电压电平小于电源电压、可能会出现过多的功率损耗：
此外、在链接的应用手册中提到：
下面是我这边的问题。
是否可以在控制电压略小于电源电压的情况下驱动多路复用器？
在我的特定情况下、控制电压为3.3V、电源电压为4.0V
在使用多个 IC 进行的初始测试中、我没有观察到使用这些参数时电流消耗过大。
在某种程度上、如何清楚地发现/计算该电压是否存在某种差异？
谢谢！
最棒的
Igor Kuksin。
嗨、Igor、
您所附的照片在我的结尾没有显示 如果我的回复不起作用、您可能可以重新发送它们
但 TS5A3159-Q1可以独立于 V+电源电压承受高达5.5V 的电压。 唯一会变化的是 VIH/VIL 电平。
这是3-3.6V 电源的 VIH/VIL 电平 
这里列出了4.5至5.5V 电源的情况
因此、如果您的电源电压为4V、我可以说您的最小 VIH 大约为2.2V、而您的高 VIL 大约为0.7V。 因此、如果您控制3.3V 电压、则会超过 VIH 最小值、并且它会正确地注册为高电平。 假设您的控制为低电平接地、那么您应该能够很好地进行3.3V 控制。
希望这对您有所帮助、
Rami Mooti
尊敬的 Rami Mooti：
感谢您的快速回复。
是的、出于某些原因、图片被损坏。 我重新发送：
Igor、
这是一个棘手的计算问题。
请看一下应用手册的这一部分 
看起来电流通过两个电阻器消耗、因为它们都部分导通、电流通过器件消耗到 Vout 和 GND、而不仅仅是 GND。 如果我们想尝试估算这一点、我们可能需要这些"部分导通电阻值"、其中 P1和 N1均为部分导通、但我们不对其进行量化。 如果您已经拥有该器件、则可以尝试转到实验并找到这些值、但此时、您可能只需直接测量电流、而不是计算电流。
我假设您可以使用 PID 方程来表示 PMOS 和 NMOS、但我们在这里也会缺少信息、例如 λ 数、晶体管本身的宽度和高度。
很抱歉、在这方面、我无法为您找到合适的方程式。
最好的办法是查看您是否可以将电压降低到较低的电平。
我还将与我们的验证团队联系、看看我们是否在未记录的地方存储了有关此内容的任何信息。
谢谢、
Rami Mooti
Igor、
感谢您提供的信息！ 我相信其他人将来会发现这一点很有用、我总是很感激看到测试结果的反馈、以帮助我帮助将来可能会经历相同情况的人
关于电流、您是否只是指整个温度范围内的电源电流？ 这将在整个温度范围内增大。 这是数据表中的一个表格。 这是相当线性的增长 
Rami Mooti
