[参考译文] 失效防护设计、用于在两个 MOSFET 通电时驱动24V 继电器-和逻辑

您好、tirak kc：

感谢您关注 TI FET。 根据您的要求、通过2个串联350Ω 的电流仅约为70mA (24V/FET)。 继电器的24V 输入调节效果如何？ MCU 的输出高电压电平是多少？ 此应用至少需要一个30V N 沟道 FET。 如果24V 未经过良好调节或瞬变超过30V、则可能需要考虑使用电压更高的 FET。 作为起点、我推荐 CSD17483F4、30V FemtoFET。 这是我们针对此应用的最低成本、最小 FET。 它需要 MCU 提供最低1.8V 的栅极驱动电压。 实现应该非常简单、即将顶部 FET 的漏极连接到继电器线圈、将其源极连接到底部 FET 的漏极。 我建议为每个- 100kΩ 使用一个低值(1 -5Ω)的串联栅极电阻器、并在每个 FET 的栅极到源极之间使用一个更大的(10kΩ FET)下拉电阻器、以确保在栅极保持悬空时将其关闭。 我不确定您会如何执行 FET 自检。 如果您有任何问题、请查看并告诉我。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

你好，约翰·华莱士，

感谢您的回复。 我会考虑以上意见。

此外、

您能否查看随附的用于每个 FET 自检的文档？ 请求您对随附的自检过程进行更新或评论。

您还可以推荐适用于以下要求的 SW1和 SW2。

您好、

要打开 FET1、必须打开 FET2以将 FET1源极拉至 GND。 如果 FET2关闭、则 FET1的源将悬空、无法打开 FET1。 以下是我的建议：

• 在您的图中消除 SW2并将 R6直接连接到 VCC
• 在 SW1断开的情况下、通过打开两个 FET (SW2和 SW3闭合)来测试 FET1和 FET2、并测量继电器线圈(24V)上的压降。
• 在 SW1关闭、FET1关闭 (SW2打开)且 FET2打开(SW3关闭)的情况下测试 FET2、测量流经 VCC (SW1/R6)的电流。 测量继电器线圈(0V)上的压降。 如果 FET1被短路、则继电器线圈上的压降将为24V。

我创建了一个简单的 TINA-TI 仿真、并附上了该仿真附件供您尝试。 我只是使用开关来控制在每个栅极上施加的电压、并假定 VCC = 1.8V。 您可以通过单击开关来更改它们的状态。 我还添加了 SW4和 SW5、以便您短接一个或两个 FET、因为这是功率 MOSFET 的典型故障模式。 运行直流分析以计算节点电压、并使用探头查看电路中任何节点的电压。 开关当前配置为使两个 FET 都导通。

您可以通过以下链接下载并安装 TINA-TI：

https://www.ti.com/tool/TINA-TI?keyMatch=TINA

如果您有任何问题、请告诉我。

谢谢。

约翰

e2e.ti.com/.../Relay.TSC

您好、

跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

谢谢。

约翰

您好、Tilak：

我认为电阻分压器应足以保护 MCU 上的 ADC 引脚。 当然、您也可以添加齐纳二极管来钳制电压。

此致、

约翰

您好、Tilak：

跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

谢谢。

约翰