您好!
让我感到困惑的是数据表"SWRS081B–2009年4月–2011年2月修订版"中的晶体规格参数。
AFAIK、CL 是一个特定晶振设计的负载电容。 因此、当我选择晶体时、我需要使用公式将其与两个电容器组合在一起以满足其所需的 CL
CL =(C1 * C2)/(C1 + C2)+杂散
因此、我觉得很奇怪、TI 给出的 CL 范围为10pF 至16pF。 我在其他 MCU 数据表中从未见过这种情况。
但是、数据表显示"在 TA = 25°C 且 VDD = 3V 的德州仪器 CC2530 EM 参考设计上测得、除非另有说明"。
但更有意义的是在 XTAL 引脚上呈现寄生电容。
我是完全错误的、还是您同意我的观点?
此致。