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[参考译文] CC2530:晶体振荡器引脚电容

Guru**** 2455560 points
Other Parts Discussed in Thread: CC2530

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/wireless-connectivity/zigbee-thread-group/zigbee-and-thread/f/zigbee-thread-forum/1443186/cc2530-crystal-oscillator-pin-capacitance

器件型号:CC2530

工具与软件:

尊敬的先生:

您能告诉我 CC2530的晶体振荡器引脚电容(引脚22和23以及引脚32和33)吗?

CC2530 EVM 板针对32.768kHz 使用12.5pF 的负载电容、连接的外部电容器为15pF。 要达到12.5pF 的负载电容、必须分别在振荡引脚上剩余10pF 的电容(此时我们忽略 PCB 布线寄生电容)。

对于32MHz 晶体振荡器、 CC2530 EVM 板 选择16pF 的负载电容、连接的外部电容器为27pF。 要达到16pF 的负载电容、必须分别在振荡引脚上剩余5pF (此时我们忽略 PCB 布线寄生电容)。  

通常情况下、MCU 的振荡引脚电容在2~3pF 的范围内、我无法想象 CPIN 能够达到大约10pF。 这就是我问 CC2530的引脚22和23以及引脚32和33的引脚电容的原因。

谢谢

John

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    尊敬的 John:

    我们未指定该器件的引脚电容。

    数据表中介绍了电容器选择:

    因此、对于32MHz 晶体、最终得到16pF = 13.5pF + C_mastic、所以假定寄生电容为2.5pF。 可通过板载电容器阵列进一步调整电容、从而进一步微调频率:

    对于32kHz 晶体、您具有12.5pF = 7.5pF + C_寄 生电容、因此假设的寄生电容为5pF。 诚然、这比我预期的要高一点、但并不完全偏离了路线。 这是一个具有大端子的相当大的封装、并且用于32kHz 晶振的引脚也支持交替功能、所以电容值可能略高于引脚专门用于时钟功能的情况。 该器件在此板上已使用这些值进行了全面验证、如果您复制设计、预计会取得良好的效果。 如果您选择了其他晶体并希望验证频率精度、则可以将时钟输出到其中一个器件引脚并直接测量:

    此致、

    周杰

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    你好、杰克先生、

    感谢您的答复。

    我怀疑 数据表中指定的 CL 公式的正确性、因为所有寄生电容器都与 XOSC 引脚和 GND 之间连接的"负载电容器"并联。 因此、对于与27pF 电容器连接的16pF 32MHz 晶振 CL、剩余的电容应为5pF、而不是2.5pF。

    类似的32.768kHz 计算。 但对于32.768kHz、剩余的电容会远高于我们所有人实现的电容。  

    您能告诉我、如果我调整寄存器 FREQTUNE、将会向 XOSC 引脚增加多大的额外电容以及与计数[3:0]相关的额外电容如何吗?  

    对于32MHz 和32.768kHz、我将使用 FREQTUSE 寄存器上的不同设置。 我还想是因为这个电容器阵列设置 让 EVM 板选择了这样一种高负载电容器晶体振荡器来实现32.768kHz 的频率。

    谢谢

    有一个美好的感恩节假期

    John

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    尊敬的 John:

    FREQTUNE 寄存器设置不会为32kHz 晶振应用电容。  

    我没有寄存器设置和接通的电容之间的等效性数据。 您可以将器件设置为输出未调制的 CW、并在调整寄存器设置时监控频率。 使用 SmartRF Studio 7可以轻松实现这一点。

    BR、

    周杰