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您好！
在28377的初始化代码中看到有将定义在内存中的数据段从flash拷贝到ram中的操作，那么具体在程序设计时，需要将哪些程序和数据定义在RAM中，在读取的速度上，内部RAM和Flash具体差多少。
在论坛上看到说要将执行效率要求高的代码放在RAM中，当然数据属性要是可写的也要放RAM中。
一般我们建议将实时性要求比较高的代码，和FLASH初始化相关的代码，比如中断程序，放在RAM上运行。
在F2837xD/37xS/07x系列芯片里，它们使用的Flash是最新的65nm工艺(相比之前的是180nm)，其Flash运算速度和执行效率已经大幅提高，等待周期也可以减少，因此会非常接近RAM上的速度，根据不同的代码，你可以参考下面的相关数据(请注意，Flash wait states是根据工艺强制要求的，比如F28335运行150MHz主频时，必须至少要5个，而F2837x则只需要2个 )：
Devices
Code Running
From
FLASH Wait States
Device
MHz
Floating-Point Math Code
(near linear code with little branching, most instructions 32-bits)
Control Code
(lot’s of branching, mixture of 16-bit and 32-bit instructions, most instructions 16-bits)
All Devices
RAM
-
100% efficient (reference)
F2812/F28335
FLASH (180nm)
64-bit wide pre-fetch
5-wait
150
~58MHz equivalent performance from Flash
~87MHz equivalent performance from Flash
F2837x/F2807x
FLASH (65nm)
144-bit wide pre-fetch
2-wait
~143MHz equivalent performance from Flash
~135MHz equivalent performance from Flash
3-wait
200
~184MHz equivalent performance from Flash
~174MHz equivalent performance from Flash
