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C2000WARE-DIGITALPOWER-SDK: tidm_02008控制问题

Part Number: C2000WARE-DIGITALPOWER-SDK

        在tidud61e文档中,按图2-8的电流参考方向,在并网状态时,正半周,实际电流方向与参考方向相反,应为负,但按原理图零线端霍尔接法,电流从IP-端进入,输出电压低于霍尔中点偏置,零线电流采样子程序中,霍尔输出电压减中点偏置为负,再乘以-2.0为正(标幺),但实际和参考电流方向是相反的,请问这样处理是什么原因?

      在电流环计算程序中,误差为电流反馈减基准,假定在正半周某时刻,基准为0.5,电流采样为0.51,误差为正值0.01,经过电流调节器,对应输出应加大,使得D更大,这样VxiN更高。取电感电压,回路电阻压降,交流电压压降方向也为电流参考方向,根据KVL,-VIN+VL+VR+VBUS=0,VBUS=VIN-VL-VR, VL=VIN-VBUS-VR,  正半周VIN为正值,负半周VIN为负值, 这和图2-9右边的PLANT块是相符的。VxiN更高即Q3导通占空比更大,使并网电流更大(和参考方向反向),那岂不成了正反馈?也请详细解释一下这些过程和逻辑。

       非常感谢!

  • 您好我们已收到您的问题并升级到英文论坛寻求帮助,如有答复将尽快回复您。谢谢!

  • 您好,

      在tidud61e文档中,按图2-8的电流参考方向,在并网状态时,正半周,实际电流方向与参考方向相反,应为负,但按原理图零线端霍尔接法,电流从IP-端进入,输出电压低于霍尔中点偏置,零线电流采样子程序中,霍尔输出电压减中点偏置为负,再乘以-2.0为正(标幺),但实际和参考电流方向是相反的,请问这样处理是什么原因?

    第一个问题,您说的,“实际和参考电流是相反的”,请问具体是什么含义?

    VxiN更高即Q3导通占空比更大,使并网电流更大(和参考方向反向),

    第二个问题,我们没太明白您说的这句话。

    假设 Vac > 0,则电流为负向。 较宽的 d (Q3占空比)会产生更大的负电流,而较窄的占空比会产生更小的负电流。 

  • 先设定两个条件,交流电源正半周,并网状态,正常调整状态,在一个高频开关周期,无论是电感充电还是放电,电流都是从交流电源零线端流入霍尔电流负极,因此霍尔副边感测电压必定低于偏置电压(0.52VCC),感测电压减偏置电压,为负或零,程序内又乘以-2.0,得到一个正数(或0),进入电流环汇编程序后,误差和以往不同,为检测电流减去瞬态电流基准,假设正半周某时刻瞬态基准为0.5,检测电流为0.51,误差为正的0.01,主程序已先定Kp=0.34965,Ki=0.002,按照算法,电流环输出占比上一开关周期大,这岂不成了正反馈?(可以先不考率交流前馈和电感电压跌落前馈,因为没有前馈也能正常工作的)

        我认为是程序中没有严格按参考方向来取正负所致,按tidud61e文档的图2-8定的电流参考方向,正半周总电流采样出来应处理为负数或0,假设正半周某时刻瞬态基准为-0.5,检测电流为-0.51,误差为检测电流减去瞬态电流基准,为-0.01,经过电流环PI计算,对应输出变小,占空比小,从而将电流往小调(方向和参考方向相反)。

        假定交流源,电感压降,回路电阻压降方向和图2-8电流参考方向相同,VxiN等效为一个电压源,根据KVL有,-VIN+VL+VR+VxiN=0,VxiN=VIN-VL-VR,这与PI程序中占空比算法相符(VR忽略),VIN在正半周为正,负半周为负。上式变形可得VL=VIN-VR-VxiN,这和图2-9左边受控机构(PLANT)的情况相符。

  • 好的收到了哈,我们反馈给工程师看下。

  • 您好,

    霍尔效应传感器输出被馈送到反相放大器。 -2的乘法是反转运算放大器输出的符号,它不会更改原始测量的符号。 有关详细信息请查看原理图。

    在正半周中,电流基准必须为负。 假设电流基准为-0.5、反馈电流为-0.51。 误差为-0.01,可降低上开关的占空比。

  • 您好,是我漏看了运放,以为霍尔出来后直接去了MCU,导致方向错误。非常感谢您的提醒!