Other Parts Discussed in Thread: REF3030
12位的ADC，理论SINAD是74dB，16位ADC理论SINAD是98.08dB，计算公式SINAD=6.02*ENOB+1.76
查了下C2000各个芯片ADC的SINAD和ENOB数据，如下：
- 2812：62dB，10.0位
- 2808/28335：67.5dB 10.9位
- 28027/28035/28069：不详
- 280049：68.5dB 11.0位
- 28075：68.4dB 11.1位
- 280039：70.4dB 11.4位
- 28377S：68.4dB 11.1位
- 28384S：69.0dB 11.2位
- 28384S：83.4dB 13.5位（16位单端模式）
其中除了Piccolo的几款芯片，其它芯片都能找到SINAD和ENOB的数据。这几款Piccolo芯片的ADC输入范围都是0-3.3V，其它的芯片向2808/2812/28335是0-3.0V，280049以后的新新型号增加了一个内置的2.5V基准，输入电压范围0-2.5V，同时也保留原来的0-3.3V输入范围。从手册数据来看，使用内部2.5V基准时的SINAD指标要更好。
常见的基准芯片，输出电压都要比输入电压低，很多MCU内置基准都是1.2V左右。向Piccolo这样输入3.3V电压，基准也是3.3V，只能是直接把VDDA电源当作基准来使用了。里面搞两个电阻对VDDA分压出1.65V来当基准用的？Piccolo的datasheet中不写SINAD和ENOB，难道是因为比2812的62dB数据还要差？如果我使用VREFHI外接REF3030，外部提供3.0V电压基准，是否指标能达到28335的10.9位ENOB指标？
