TMS320F28379D: （可能是关断尖峰导致的）Buck电路采样出现问题

各位好，最近我在做一版飞跨电容型三电平Buck电路，采用28379D launchpad 在做单电压闭环（飞跨电容电压平衡暂未控制）时出现了在输入达到20V以上后，输出电压开始下降的问题，已知信息如下。

1.采样选用隔离放大器+普通运放调理的电路，用稳定直流电压测试没有问题。

2.采用我的电路板，在开环状态下以不同的占空比输出相同电压（如20V输出8V，30V输出8V），高压输入下用万用表测得采样电路输出电压会更高，在电脑端观察单片机得到的采样数据同样如此。

3.更换功率板到采样板的接线为屏蔽线试图减少干扰后，问题并没有解决。

4.约30V输入下输出电压的波形

基于上述两点，我推测是由于高压下输出电压的关断尖峰导致输出电压有效值变高，因此单片机采样值变高，控制开关管占空比下降。接下来做出了如下改变：

 开关频率为50kHz。采样频率=开关频率，将采样点修改为开关周期的3/4处试图避开尖峰后，问题并没有解决。（这让我怀疑是否真是因为尖峰导致采样偏高？）

代码如下

void ConfigureADC(void)
{
    EALLOW;
    AdcaRegs.ADCCTL2.bit.PRESCALE = 0; //ADC时钟分频
    AdcSetMode(ADC_ADCA, ADC_RESOLUTION_12BIT, ADC_SIGNALMODE_SINGLE);//设定ADC运行模式：12位单输入信号
    AdcaRegs.ADCCTL1.bit.INTPULSEPOS = 1;//转换结束后产生中断脉冲
    AdcaRegs.ADCCTL1.bit.ADCPWDNZ = 1;//开启所有模拟电路
    DELAY_US(1000);

    AdcbRegs.ADCCTL2.bit.PRESCALE = 0; //ADC时钟分频
    AdcSetMode(ADC_ADCB, ADC_RESOLUTION_12BIT, ADC_SIGNALMODE_SINGLE);//设定ADC运行模式：12位单输入信号
    AdcbRegs.ADCCTL1.bit.INTPULSEPOS = 1;//转换结束后产生中断脉冲
    AdcbRegs.ADCCTL1.bit.ADCPWDNZ = 1;//开启所有模拟电路
    DELAY_US(1000);

    AdccRegs.ADCCTL2.bit.PRESCALE = 0; //ADC时钟分频
    AdcSetMode(ADC_ADCC, ADC_RESOLUTION_12BIT, ADC_SIGNALMODE_SINGLE);//设定ADC运行模式：12位单输入信号
    AdccRegs.ADCCTL1.bit.INTPULSEPOS = 1;//转换结束后产生中断脉冲
    AdccRegs.ADCCTL1.bit.ADCPWDNZ = 1;//开启所有模拟电路
    DELAY_US(1000);
    EDIS;
}

void ConfigureEPWM(void)
{
    EALLOW;
    // Assumes ePWM clock is already enabled
    EPwm1Regs.ETSEL.bit.SOCAEN    = 0;    // 禁用EWPWMxSOCA脉冲
    EPwm1Regs.ETSEL.bit.SOCASEL   = 4;   // 上升计数
    EPwm1Regs.ETPS.bit.SOCAPRD = 1;       // 发生事件1时产生脉冲
    //下面在单采样时需要设置，本程序中在PWM配置函数中被再次配置
    EPwm1Regs.CMPA.bit.CMPA = 750;     // Set compare A value to 2048 counts
    EPwm1Regs.TBPRD = 999;             // Set period to 4096 counts
    EPwm1Regs.TBCTL.bit.CTRMODE = 3;      // freeze counter
    EDIS;
}

void SetupADCEpwm(void)
{
    Uint16 acqps = 25;

    EALLOW;
    AdcaRegs.ADCSOC0CTL.bit.CHSEL = 0;  //SOC0转换A0
    AdcaRegs.ADCSOC0CTL.bit.ACQPS = acqps; //设定采样窗口时间
    AdcaRegs.ADCSOC0CTL.bit.TRIGSEL = 5; //触发信号 - ePWM1, ADCSOCA
    AdcaRegs.ADCINTSEL1N2.bit.INT1SEL = 0; //EOC0 is trigger for ADCINT1
    AdcaRegs.ADCINTSEL1N2.bit.INT1E = 1;   //使能中断标志位
    AdcaRegs.ADCINTFLGCLR.bit.ADCINT1 = 1; //make sure INT1 flag is cleared

    AdcbRegs.ADCSOC0CTL.bit.CHSEL = 2;  //SOC0转换B2
    AdcbRegs.ADCSOC0CTL.bit.ACQPS = acqps; //设定采样窗口时间
    AdcbRegs.ADCSOC0CTL.bit.TRIGSEL = 5; //触发信号 - ePWM1, ADCSOCA
    AdcbRegs.ADCINTSEL1N2.bit.INT1SEL = 0; //EOC0 is trigger for ADCINT1
    AdcbRegs.ADCINTSEL1N2.bit.INT1E = 1;   //使能中断标志位
    AdcbRegs.ADCINTFLGCLR.bit.ADCINT1 = 1; //make sure INT1 flag is cleared

    AdccRegs.ADCSOC0CTL.bit.CHSEL = 2;  //SOC0转换C2
    AdccRegs.ADCSOC0CTL.bit.ACQPS = acqps; //设定采样窗口时间
    AdccRegs.ADCSOC0CTL.bit.TRIGSEL = 5; //触发信号 - ePWM1, ADCSOCA
    AdccRegs.ADCINTSEL1N2.bit.INT1SEL = 0; //EOC0 is trigger for ADCINT1
    AdccRegs.ADCINTSEL1N2.bit.INT1E = 1;   //使能中断标志位
    AdccRegs.ADCINTFLGCLR.bit.ADCINT1 = 1; //make sure INT1 flag is cleared
    EDIS;
}

我想尝试通过增加RC snubber减小关断尖峰看看问题能否改善，但MOS封装和电路板布局并不允许。

请问各位有什么建议么？

感谢您的关注，期待您的回答！