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F28034，驱动IO控制WS2812B芯片。晶振使用内部INTOSC1倍频到50M，增加一条asm(" NOP");语句，大概增加了300ns左右的时间，理论上不是50M时钟对应的20ns吗？
图片中第一个高电平时间执行了两条asm(" NOP");，第二个高电平时间执行了三条asm(" NOP");。GPAQSEL1寄存器配置为异步。我想知道asm(" NOP");延时为什么不是时钟周期，或者有没有其他更精准延时方法。
有没有可能是该示波器的精度问题导致？可以换一个精度更高的示波器试一下吗？
后面更换了泰克示波器，现象大致相同。当执行两条asm(" NOP");时，高电平维持时间是300多ns。执行三条asm(" NOP");时，高电平维持时间是600多ns。这个问题是否与我编译器配置有关。
可以分享下你的程序吗？
void WS2812B_tx(void) { Uint16 ws2812hl[24],rgb,i; rgb = WS2812.GRB; for(i=0;i<24;i++) { if((rgb & 0x00800000) == 0x800000) ws2812hl[i] = 1; else ws2812hl[i] = 0; rgb = rgb << 1; } if(ws2812hl[0]) { ws2812b_H; asm(" NOP");asm(" NOP");asm(" NOP"); ws2812b_L; //asm(" NOP"); } else { ws2812b_H; asm(" NOP");asm(" NOP"); ws2812b_L; //asm(" NOP"); } if(ws2812hl[1]) { ws2812b_H; asm(" NOP");asm(" NOP");asm(" NOP"); ws2812b_L; //asm(" NOP"); } else { ws2812b_H; asm(" NOP");asm(" NOP"); ws2812b_L; //asm(" NOP"); }
你好，我咨询资深工程师后回复您。
你好，由于美国工程师那边假期，可能回复会有延迟，一旦有回复会立即回复您。
你好，可以检查下cmd看代码是从flash中还是ram中运行？如果它是从闪存执行的，那么将有一个额外的周期，因为我们需要额外的 1 个等待状态。这意味着每个“NOP”需要 40ns 与 20ns（1/50MHz），但我们仍然有点偏离您看到的 300ns 与 3 个“NOP”指令应该给出的 120ns.
您是否还可以检查闪存 WS 是否已正确配置（假设从闪存运行）；默认的 WS 值为 15，因此如果没有为正确的 CPU 时钟速率配置，这将增加相当大的延迟。
是的，这与程序在哪里执行有关系。
