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请问在仿真模式下和在内部FLASH运行模式下相同值的串口波特率值为什么振出的频率却不一样呢？
这不应该发生，虽然程序在FLASH中运行比在RAM中慢，但串口波特率不应该受影响。
请楼主仿真的时候不要加载GEL文件看看是否波特率会一致，另外TI例程包中有相关的SCI例程，楼主可以用例程看看是否也有这样的情况。
我有用定时器中断来闪烁LED，发现在这两种模式下运行LED灯闪烁频率也有明显区别，CLK总线频率变了一样！
试了TI官方的例子也是一样的，本来9600的波特率，在28335发送脚逻辑分析仪测出来是3240（实际应为4800），不管在仿真模式还是在FLASH模式按照官方的值计算振出频率都不对。（内部FLASH运行时明显比仿真模式下振出的频率低）。弄了好久，还是找不到原因，莫非我的振晶频率不对，30M的呀！
原因找到了，是晶振的问题，买了十多个晶振样品虽然标的是30M，可测试只有2只是30M的其它的我估计是12M左右，难怪我拿16兆的晶振装上去明显感觉LED闪烁变快了！但是现在有个问题比较棘手，就是将程序烧到内部FLASH时如果是30M的晶振再擦除时就停在那个画面了不能动，根本就没法下载程序，如果是30M以下的晶振就可以正常烧写程序，请问这是什么原因，期待解决！谢谢！
30mhz的晶振是支持的，估计发生这个问题仍旧是时钟供给不稳定的问题。
楼主烧写的时候把on-chip flash 烧写插件中的设clock configuration调低，看看能不能正常。
