请问那个知道SCI通信设置地址位模式呢？我在使用HCG软件中没有看到，是我忽略了？
请问图中的J1是给外部芯片仿真，还是使用外部仿真器为板载RM46L852仿真？
看到原理图中XDS110、RM46L852和J1是直连的，没有跳线可以断开
而且VDD3.3V也通过电层直接连接XDS110和RM46L852
不能单独为RM46L852或者XDS110供电
上电后XDS110和RM46L852都工作，而且调试连通过PCB连接无法断开
请问J1这个调试口应该如何使用？
谢谢
Wiki
Wiki常用链接
TMS570 HDK开发板原理图:
http://processors.wiki.ti.com/images/5/5b/TMS570LS31_HDK_Schematics.pdf
(这里也有源文件版本的原理图)
TMS570 337pin BGA封装的器件封装文件…
您好。我看了您发的链接
第一个解决办法貌似需要ti的支持
第二个解决办法说是时钟的问题，我用的是ti的官方开发板，时钟的问题该怎么排除？
第三个解决办法我已经试过了，具体在我的问题里面有说。
ps：我可以成功连接RM46L852的HDK开发板。相同的操作，这块TMS590LS1227的HDK是ti的工程师提供给我的，我不知道是不是之前ti工程师在这块板子上做测试的时候烧录了有问题的程序导致连接不上。您这边有相关的解决办法吗？现在还是连接不上
开发板是rm46l852,确定flash相关代码是运行在sram中，初始化相关代码返回的都是0说明执行正确，但是就是烧写这一步直接报错
我使用CCS的链接脚本在FLASH中产生一个单粒子反转，通过beyond compare和实际debug时的反汇编窗口我已看到单粒子反转已经产生，实际读取翻转地址时CPU也能够返回正确的数据，说明FLASH中ECC校验成功使能并运行，但是不知道为什么无法进入ESM中FLASH ECC single中断，FEDACTRL1中EOFEN和EZFEN位置1，EDACEN位清0，FEDACTRL2寄存器置1，请问是配置的问题还是其他原因导致FLASH中单粒子反转无法进入ESM模块中断
HCG中ESM模块通道6，26，26都已经使能，rm46l852控制器使用checkFlashECC();进行flash单粒子ECC测试时无法进入ESM中断，SRAM的ECC测试checkRAMECC（）没有问题26，28中断正常进入
您好，sys_startup.c内确实调用了 vimInit()，不好意思还有一个问题，当中断发生时，手册中说会先跳到0X18去执行ldr pc,[pc,#-0x1B0] ; IRQ interrupt，但是我在这个位置打断点发现并未跳转到这里而是直接进入中断中了，请问是因为在调试模式吗还是其他原因
您好，感谢你的回复，早上进行测试时我发现加不加vimInit（）都能够正常进入中断了，不知道什么原因，还有一个问题，正常来说执行完ramread = tcramA1bit;和ramread = tcramB1bit;后会进入ESM中断，在不加断点时确实能够进入，对应的通道是26和28没问题，但是我在这两句后面打断点单步执行时并未进入ESM中断，想问下原因
要生成中断，您需要在CPU级别启用中断：_enable_IRQ（）; Peripheral 级别（ESM通道26和28）和Vim通道（ESM通道20为低电平）。
因此，在checkRAMECC（）之前请调用vimInit（），esmInit（）
你好，请问一下我想对RM46L852控制器的RAM ECC功能进行测试，使用HCG生成的 checkRAMECC();函数，但是发现在测试过程中单粒子测试无法进入ESM中断，双粒子测试 也无法进入abort异常，想问一下是我的配置什么的出问题吗
您好，再次打扰一下，今天我在尝试过程中发现新建好工程第一次在flash中运行时能与设备进行连接，之前在flash跑设备都找不到直接报错，但是会报以下错误，好像是跳到0x4c地址了，这样看起来好像可能又不是flash的问题了，麻烦帮我看一下谢谢了
