MSPM0L1306: 在中断里对flash进行操作后，全局变量的值被修改

在MSPM0L1306上，我想要实现GPIO中断触发flash写入操作。

当中断触发时，将一个长度为16的char型数组writeStr（这是一个全局变量）存入flash地址0x00008000中。但是很奇怪的是，我的这段代码在运行完DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS, DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);后，writeStr数组的值被修改。

我尝试了一些方法，有一些确实能够解决问题。比如：

1、把flash操作放在main函数里而不是中断里；

2、将其他.c文件中的全局变量改为局部变量，以改变writeStr的地址；

3、在声明writeStr时对其填入有效数据，这样也能改变writeStr的地址。

虽然上述方法能够帮我解决问题，但我还是很好奇究竟是什么导致flash在操作的时候，全局变量的值会被覆盖修改。

我在keil软件里对代码进行了单步调试，并将writeStr添加到了Watch中，可以看到地址为0x200000D4。

在Memory中查看0x200000D4地址存放的数据，可以看到有三个字节数据，这是我通过键盘外设输入的值。

当程序进入GROUP1_IRQHandler，运行完DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS, DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);后

会发现Memory中0x200000D4存放的数据被修改

当设置writeStr值被修改就触发断点后，可以看到上面Disassembly窗口代码停在了下图，此时Memory中可以观察到相应的值也发生了变化。

以上是我调试发现的现象，希望有人能为我指点迷津。