MSPM0G3507: MSPM0G3507读取Flash失败

关于你的问题，是回流炉前读取flash，还是炉后读取flash的。

1.编程地址数据未擦除
写数据之前需要擦除对应地址数据才能正常写入，否则会出现失败。
擦除数据通常是页，或扇区，写入某个地址数据，就可能影响其他地址的数据，如果直接覆盖就会出现问题。
通常的做法是读出整页（或扇区）数据并缓存，再擦除整页，再写入。

2.擦除时读取数据
内部Flash在进行写或擦除操作时，总线处于阻塞状态，此时读取Flash数据就会出现失败。
通过标志判断写/擦除操作是否完成。

3.电压不稳定写入失败
处于外界干扰较大的环境，供电就有暂降的可能，而对内部Flash进行操作时，如果低于特定电压就会出现编程失败。
操作Flash的最低电压既与工作频率有关，具体需要看数据手册。
www.ti.com.cn/.../mspm0g3507

4. SPI配置
参考其他例程的 SPI 配置，看是否是配置不当引起的问题。测试修改SPI 的clk和data引脚GPIO speed看看。

5. 如果是炉后的话，也要考虑是否是焊接不良引起的。

谢谢！