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MSPM0G3507: MSPM0G3507读取Flash失败

Part Number: MSPM0G3507

Hi ti team,

我客户此次使用工程样品MSPM0G3507 PP 1000PCS试产,其中有17PCS读写64K以后的Flash会失败,失败后会死机复位,请问这是什么原因造成,Thanks!

  • 关于你的问题,是回流炉前读取flash,还是炉后读取flash的。

    1.编程地址数据未擦除
    写数据之前需要擦除对应地址数据才能正常写入,否则会出现失败。
    擦除数据通常是页,或扇区,写入某个地址数据,就可能影响其他地址的数据,如果直接覆盖就会出现问题。
    通常的做法是读出整页(或扇区)数据并缓存,再擦除整页,再写入。

    2.擦除时读取数据
    内部Flash在进行写或擦除操作时,总线处于阻塞状态,此时读取Flash数据就会出现失败。
    通过标志判断写/擦除操作是否完成。

    3.电压不稳定写入失败
    处于外界干扰较大的环境,供电就有暂降的可能,而对内部Flash进行操作时,如果低于特定电压就会出现编程失败。
    操作Flash的最低电压既与工作频率有关,具体需要看数据手册。
    www.ti.com.cn/.../mspm0g3507

    4. SPI配置
    参考其他例程的 SPI 配置,看是否是配置不当引起的问题。测试修改SPI 的clk和data引脚GPIO speed看看。

    5. 如果是炉后的话,也要考虑是否是焊接不良引起的。

    谢谢!