上面是实际图片和原理图,请问出现这种问题,可能是什么原因造成的,该如何处理。
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您好
感谢您的发帖。 感谢您分享图像和原理图。 看起来就像使用 M0和 M1、选择1/16步进模式。 推荐的方法如数据表中所示、M0 =高阻态或悬空且 M1 = 1 (连接至3.3V)。 但这与问题无关。 DECAY 0和1为 GND、STDD 衰减模式、此模式很正常、TOFF = 16 μs、这没有问题。 大容量电容器220uF x2看起来绰绰有余。
VM 电压为24V。IC 图像表明有很大的电流流过 VM 键合线并熔化 VM 引脚。 这种情况只会发生在 VM 和 GND 之间的 FET 短路时、并且电源提供没有电流限制的未缓解的电流驱动。 这种损坏是如何造成的-导致这种损坏的一系列事件? 是在开发期间还是在现场返回期间、有多少器件发生故障? 请分享线圈的步进电机 R 和 L 值。 AOUT1、2和 BOUT1的四个通道、2个电压波形都已缩小和放大、以查看电感过冲和下冲电平以及线圈电流波形之一。 使用的步进率是多少?