1、我们在手册中看到Bulk capacitor的选择也极大的影响了整体的EMC和响应性能,该电容的选取在各个应用手册中均未详细说明,希望能知晓具体的设计取值计算方法。
2、内置MOS的V(BR)DSS的值是多少?因为我们在设计时想要工作在PWM模式下,其中在外部电机启动工作一段时间后,若需要OUT1和OUT2同时处于Hi-Z的工作状态,此时电机反向电动势会对芯片产生冲击,担心会对DRV8873H器件造成损坏。此外上述情况下是否可在OUT1和OUT2外引入储能器件作为缓冲?是否有对应的储能器件的参考设计推荐?