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这个系统框图的参考电路图 可否提供一份,中间的反相器规格是什么? 另外 LMC555 我想设置 频率为100Hz 占空比为50% 电阻应该选多少适合 后面除了采用DRV8836 控制MOS 还可以用其它方式吗?
这个系统框图的参考电路图 可否提供一份,中间的反相器规格是什么?
您指的是哪种反相器?
另外 LMC555 我想设置 频率为100Hz 占空比为50% 电阻应该选多少适合
您指的是什么电阻? 要配置555计时器来在50%占空比下生成100kHz 频率的电阻器吗?
后面除了采用DRV8836 控制MOS 还可以用其它方式吗?
如果您只想使用集成式 BDC 驱动器驱动外部 MOSFET,DRV8210是一个不错的选择,而不是 DRV8836。
您指的是哪种反相器?
红色点图的是不是反相器?
您指的是什么电阻? 要配置555计时器来在50%占空比下生成100kHz 频率的电阻器吗?
对的,是指要配置555计时器来在50%占空比下生成100kHz 频率的电阻器
如果您只想使用集成式 BDC 驱动器驱动外部 MOSFET,DRV8210是一个不错的选择,而不是 DRV8836。
我的想法是使用DRV8836的两个半桥实现充放电的独立控制以达到控制MOS 的目的
红色点图的是不是反相器?
关于逆变器(而非栅极),如果只翻转逻辑电路,但不向 ENBL 引脚提供任何电流就是ok的。
对的,是指要配置555计时器来在50%占空比下生成100kHz 频率的电阻器
关于555计时器,目前的工程师无法支持,如果需要的话您请重新发布一个相关的帖子。
我的想法是使用DRV8836的两个半桥实现充放电的独立控制以达到控制MOS 的目的
不建议使用这种方法,因为 OUT 引脚与 GND 之间有通过内部路径的泄漏路径。 会导致流经外部 FET 栅极的电流放电至 GND,并防止 FET 导通。 建议仅将 FET 栅极连接到其中一个半桥输出,并在低侧和高侧 FET 之间切换。