您好！
我在开发过程中遇到了DRV110APWR的相关问题，如下：
KEEP脚电容为1.5uf/5%的聚丙烯薄膜电容，根据规格书来看，实际激励持续时间应该约150ms，算上电容精度的误差也应该在142-158ms之间，但实测同一批次的5台样机，有出现一台激励持续时间会有达到160ms，另外一台达到172ms，其余三台中有两台在150ms左右，另外一台约145ms。导致激励持续时间过长（差异较大）的问题可能与什么有关？
下图是DRV110A周围器件以及线圈中流过的电流波形。
您好！
我在开发过程中遇到了DRV110APWR的相关问题，如下：
KEEP脚电容为1.5uf/5%的聚丙烯薄膜电容，根据规格书来看，实际激励持续时间应该约150ms，算上电容精度的误差也应该在142-158ms之间，但实测同一批次的5台样机，有出现一台激励持续时间会有达到160ms，另外一台达到172ms，其余三台中有两台在150ms左右，另外一台约145ms。导致激励持续时间过长（差异较大）的问题可能与什么有关？
下图是DRV110A周围器件以及线圈中流过的电流波形。
实测KEEP脚电压从0上升到100mV所用时间与线圈激励时间相同，均为170ms。将170ms与145ms样机中的DRV110V芯片交叉互换后，测得激励时间跟随芯片，因此初步判断与芯片本身有关。补充一张波形图，如下：黄色是OUT脚输出波形，绿色是线圈电流波形，蓝色是KEEP脚波形
感谢您联系我们。根据对您的示意图的评估，请您考虑以下几点。
1-根据以下标准考虑适当的限流电阻器选择
2-为什么使用C354和C34拉下EN引脚。它应该被拉高或漂浮。
您好！
我们当前所用的芯片型号为DRV110APWR。
PCBA电源输入额定电压是110V或220V，AC&DC，经过整流后得到VEE，VEE接线圈并经过稳压到10V给DRV110A芯片供电，相关参数如下图
谢谢你的信息。
根据提供的信息，IPEAK设置为7.3A，E110V的I保持为0.617。但是，捕获的波形显示在1.5和4A左右。请您确认您的应用程序中的I峰值和I保持值是多少。
此外，请向我提供DRV110的整个原理图，包括输入和输出电路。
您好！
设置的值没有问题，波形上的电流与设置的值不一样主要有两个原因：
1、输入电压不同，图中波形为E220V型号，额定电压为220VAC/DC，线圈绕组更大，而且实际测试中会按照80%额定电压，因此激励电流更小。
2、第一个波形图中，激励过程中电流波形有一个下凹的点，这是因为线圈放置在了接触器机构中，有对外做功，之后电流再从较低水平上升，使得在激励结束时未达到最大理论值。第二个波形图中，激励过程没有下凹点，是因为是把线圈取出来测试的，是为了测试激励电流的峰值。
经过我们测试，激励与保持电流与理论计算相差不大，满足要求，只是激励持续时间与理论相差较大，且从规格书中为查询到相关的精度范围。
输入与输出部分电路如下，其中线圈上端VEE为整流后的电源电压，VDD为10V。
