在大电流路径使用这款芯片时VIN和VOUT之间总会存在约24mV的基础压降，这个压降不是由MOSFET的Rds(on)引起的。随电流上升，压降增长很缓慢，增长斜率几乎和MOSFET的Rds相等。通过实测数据拟合可以预见，在电流50A时，损耗功率达到2.4W，发热严重。请问这个压降是如何产生的，怎么避免？
如图，1-7A数据为实测，损耗为推测。原理图如下
MOSFET型号是HYG012N08NS1TA
在大电流路径使用这款芯片时VIN和VOUT之间总会存在约24mV的基础压降，这个压降不是由MOSFET的Rds(on)引起的。随电流上升，压降增长很缓慢，增长斜率几乎和MOSFET的Rds相等。通过实测数据拟合可以预见，在电流50A时，损耗功率达到2.4W，发热严重。请问这个压降是如何产生的，怎么避免？如图，1-7A数据为实测，损耗为推测。原理图如下MOSFET型号是HYG012N08NS1TA
