该产品本来是电池供电型产品，但在功能测试阶段，我们使用了带电流分析的直流电压源对设备供电3V，并测量电流波形以评估电池功耗。测试人员拿着PCBA，并在VIN焊接了2跟10cm的引线进行供电测试，测试人员1测完后，此时还未损坏，交给测试人员2，然后测试人员2测完后交回给测试人员1，然后发现boost损坏了，所有测试供电都是3V，并有明显烧毁痕迹和鼓包。单板测试电流发现有额外的310ma的消耗。然后我们进一步发现芯片的1,2脚有明显烧毁痕迹，将芯片取下，单独用万用表测量发现：SW引脚与VOUT引脚电阻为0.47Ω，SW与GND电阻为19Ω，VIN与GND也是76Ω，FB和EN脚未发现明显异常。从测量结果得知P管和N管应该都被击穿损坏了。下图为损坏芯片照片：
我们尝试复现该问题以确定问题原因，我们尝试GND接大地，对VIN打静电8KV，但是未能复现损坏。短接VIN然后突然释放也没能损坏IC。然后GND接大地对VIN打浪涌1KV40Ω，boost损坏了，VIN与GND为47Ω，其它无明显异常，但是特征与上述击穿损坏不一致。此外我们还有一个误接24V高压的设备，boost芯片有鼓包，损坏特征为SW与GND 1.77R，EN 与GND 400R，VIN 与GND 184R，VOUT与GND 220R，
请帮忙看下原理图是否有设计风险，我们损坏的设备输入电压3V，输出电压3.2V。并帮忙做下失效分析，看下可能是哪种损坏，是静电损坏，还是过压，浪涌损坏？
