TI的专家你们好，我司使用TPS24720设计的电子负载开关，样品在客户手里做输出短路测试时其中一个通道发生失效，经检查MOSFET Q3失效，TPS24720表面炸出一个坑（靠近11,12脚位置）,ISET 电阻R6烧毁；
整个电路供电端有300uf电解电容和5KW 18V 双向TVS管。供电为13.5V锂电池；
我司在DVM阶段有发生过因参数设置不合理和MOSFET选型问题造成MOSFET 超出SOA而损坏情况，但定型后未再出现失效情况，且根据客户提供的测试条件和方法再三尝试也无法复现故障。
请帮忙分析发生此故障的可能性。感谢!
