芯片内部的驱动电流为1.5A和2A；假如VCC=15V，驱动电阻（包含mosfet外部驱动电阻和mosfet内部Rg）为3.3R，驱动电流为15V/3.3R=4.5A，这样的话，芯片会不会过流失效？谢谢！
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由于驱动电流受到推挽驱动器的内部限制，因此不会发生过流
Hi Taylor：
内部的推挽驱动器会不会发生过热失效？
推挽驱动器也有一内部阻抗。此外，虽然Cgs充电过电流是一个具有电时间常数的瞬态事件，但由于系统热时间常数缓慢，不应该发生过热问题
我这边一上电，芯片就坏掉了，测量gate端对地阻抗，只有100欧姆，您觉得有哪些方面需要考虑？谢谢您！
这个问题请再提一个帖子。
