LM517701: LM517701无法带载

S sy

Part Number: LM517701

我采用了LM517701芯片做了一款四开关Buck-Boost板子，其设计输入电压为60V，输出电压12V，负载电流20A，频率为200kHz，采样电阻由3个5mΩ并联，输入电容共440uF，输出电容共440uF，电感22uH。目前测试阶段给了24V的输入电压，12V输出，空载输出正常，但现在无法带载，负载电流为100mA时输出电压就往下降，MODE为VCC和0的时候都无法带载，CFG配置为1.15k，禁用输出电流检测功能，ISNSN与ISNSP直接接地，BIAS由VIN供电。PCB设计如下

28 天前

0 Lydia 28 天前

TI__Mastermind 46345 points

您好，已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。

0 Vivian Gao 27 天前

TI__Mastermind 49270 points

数据手册9.2.2.1 部分，您按照这五步生成符合您需求的参考电路和bom，然后对照您目前的电路进行检查。

www.ti.com/.../lm517701.pdf

0 S sy 21 天前回复 Vivian Gao

Prodigy 10 points

您好，我的设计是按照数据手册推荐的来进行，所用器件参数均由TI设计工具表格计算推荐，在修复了一些问题后，目前测试板可以带载，但系统效率只有86%左右，且输出不稳。经测试发现死区时间存在交叠从而增大了开关损耗，相关测试结果如附件所示，数据手册给的死区时间在40ns左右，这与测试相仿，但在这个时间段结束后器件仍然无法完全关闭，所用MOSFET参数与推荐相仿，数据手册附在附件中。最后，在空载以及1A的轻载测试中发现存在降压半桥侧开关同时关闭的情况，这是否正常？LM517701test_260528_20260528174552.pdf Belling-BLP065N10GL-Q.D_V1.0_en.pdf BLP065N06-Q Version 01.pdf

0 Vivian Gao 21 天前回复 S sy

TI__Mastermind 49270 points

您这个有可能是MOSFET 米勒效应

当 MOSFET 关断时:

Vgs 从高压下降到米勒平台电压 (Qg1 阶段) → 快速
停留在米勒平台 (Qgd/Crss 充放电) → 缓慢 (10-30ns)
Vds 电压上升,但 Id 电流仍未完全切断
最终 Vgs 降到阈值电压以下 → 完全关断
您的问题: 米勒平台时间过长 + 栅极驱动阻抗过大 → MOSFET 在死区时间结束后仍未完全关断 → 上下管短暂导通(shoot-through)

可以降低栅极电阻，更换低 Qgd MOSFET，优化 PCB 布局，适当增大Bootstrap 电容

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