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Original question:

LM73605相较于LM76005的优势

TPS92641: 关于TIDA-080008参考设计Layout的疑问

l ml
Intellectual 310 points

Part Number: TPS92641

图片中红色高亮部分为DGND，绿色框中为检流电阻和功率下管的DGND，按照参考设计的说法，最大能输出10A的电流，但是绿色框中，对地的过孔的数量为6个，这样是否合理？

如果需要长时间稳定输出10A，是不是应该将SW线走底层（图中绿色轨迹线），然后将1&2的地连通，然后放置一定数量的过孔？

  • 0
    TI__Guru 51190 points

    您好，
    已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。

  • 0 回复 Alice
    TI__Guru 51190 points

    您好，
    目前官方的layout是四层板，每层铜厚2oz,以满足大电流驱动。
    内部有专门的地层, MOSFET相关引脚由过孔接地，最小化了接地回路。
    建议参考TI对于HG LG SW的布线方式。
    如果再增加GND过孔，我认为主要的作用是为了更好的散热，建议过孔间隔1mm（40mil）。
    www.ti.com/.../tiduew9.pdf

  • 0 回复 Alice
    Intellectual 310 points

    是的，我知道官方采用的是四层板，所以我采用的也是四层板，我的布局基本上是参照这个EVM来的，

    “内部有专门的地层, MOSFET相关引脚由过孔接地，最小化了接地回路”从EVM的PCB上看低边MOS管的地过孔数量只有6个，而且过孔比较小，接地只有一小块，这些数量的过孔能否支持将低边MOS管的电流从表层导向参考地层，在电流持续为10A的时候

  • 0 回复 l ml
    TI__Guru 51190 points

    您好，

         个人经验，按照1A/vias是通常的做法，如果您的设计有足够的空间，可以增加过孔。

  • 0 回复 Alice
    Intellectual 310 points

    在这种布局下，四层板，第二层作为参考地，电流经过低边MOS关的地以及过孔，回流到输入电源的地，在这个路径上要和芯片的地重合（因为芯片的地恰好处于两者之间）之所以这样布局是为了使得HG/LG/SW的走线尽可能短，但是又不确定芯片的地是否可以经过功率地，因为在大电流之下似乎大家更倾向于芯片的地和功率地尽量不要有交叠部分

    为此我将布局调整为如下

    让下管的地和输入地在表层直接连通，但是这样会导致HG/LG/SW的走线变长，可能会引发MOS管栅极振铃

    你认为我应该选择哪种布局比较好

  • 0 回复 l ml
    TI__Guru 51190 points

    您好，

          我认为保证地的完整性更重要，PCB板TOP layer和bottome layer的不同的地也要与GND plane 的划分区域一致。