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我想问一下 对于我使用LM2678-5.0这个芯片，及经过变压后这个芯片保持恒压5.0V的情况下，输入端的电压从24V到5V，以及16V到5V，两种方案中的发热会差别有多大？
如第一种方案的发热比第二种发热会高很多，还是差别不大？ 看到TI的技术说明里面效率是92%，是不是可以理解为发热会差别不大？
会轻微有一些温度差异，比方说输出都是3A, 24V输入时效率86%，占空比是22.8%， 16V输入时效率86.7%，占空比是34%，就功耗而言主要差异在于芯片内部的MOS, Rdson 120ohm, 前者功耗是3*3*22.8%*0.12=0.24w, 后者功耗是3*3*34%*0.12=0.36w, 如果芯片热阻采用T封装45℃/W，芯片温度差异可以估算为45*(0.36-0.24)=5.4℃. (温度差异是5℃左右，以上数据来自TI的webench仿真)
你好，我想请问一下，占空比是如何得出来的？可以附一下计算占空比的webench链接吗？ 还有热阻参数是在那里查出来的，可以提供一下来源吗 谢谢
