各位好,我想请问下,当charger IC在使用DPM机制进行充电时,
1、 在CC(1000mA)阶段,是否可以再次对Current limit 进行重新设置,如重新设定为500mA?
2、在CC(1000mA)转至CV阶段后,正常情况下,DPM是从1000mA(CC limit)开始,然后降低,是否可以在进入时重新设定值为500mA,从而使其直接降低至500mA,然后慢慢降低
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各位好,我想请问下,当charger IC在使用DPM机制进行充电时,
1、 在CC(1000mA)阶段,是否可以再次对Current limit 进行重新设置,如重新设定为500mA?
2、在CC(1000mA)转至CV阶段后,正常情况下,DPM是从1000mA(CC limit)开始,然后降低,是否可以在进入时重新设定值为500mA,从而使其直接降低至500mA,然后慢慢降低
Hi
看你具体用哪一款芯片,一般是由电流限制设置的。
您的意思是:
1、ti某系列的芯片可以在CC时改变DPM的Input Current limit,并发生作用,使其使用新的limit进行CC充电
2、ti某系列芯片可以在CV时对DPM的input Current LImit进行设定后,可以使其以当前设定值直接进行CV充电?即CC以1000mA充电后,当转入CV时,直接以500mA进行充电?那这充电电流必定有个断层,会有什么严重的影响么?
另外,使用的是IDPM,我主要想问您具体这两个阶段的修改是否会发生并产生作用?是否有影响?
谢谢了!