请教 DCDC 的CCM模式和DCM模式临界电流计算公式是怎么计算的

Hi,

    是的，通常来说DCM的条件是电感电流下降到0。以非同步Buck为例，下管是一个整流二极管，电流只能从GND-SW-L-VOUT单向流动。当电流下降到0的时候，二极管不允许电流反向通过，所以就进入了Discontinuous模式，也就是DCM。

    从公式上来说，电感电流是类似于“三角波”不断变化的，有峰值和谷值，二者平均值是输出电流。当谷值为0时，也就是Iout等于电流纹波的一半大小时，就是CCM和DCM的临界状态了。你可以列出电流纹波，并且令输出电流等于电流纹波一半，用这个关系去推导，应该比较容易了。

    谢谢！

那就是跟芯片的额定输出电流是没有关系的吗

我从资料上看到的一个计算临界电流公式是

这个是怎么推导出来的呢 有具体的推导过程吗

公式是这个

   这是计算Buck电路临界电流的公式。

    CCM与DCM的临界电流值等于电流纹波大小的一半，Vout/L是上管关断时电感电流下降的斜率，（1-D）/Fs是上管关断的时间，两者相乘等于电感电流纹波大小。输出电流等于这个临界值时，电感电流纹波的谷值正好是0。

    与芯片的输出电流能力没有直接关系，主要是与电感电流纹波有关系。也就是说与占空比，电感值，输出电压有关。

Hi

    电路计算是工作CCM模式，轻载才DCM,不再计算考虑内。

电感大小可以确定你的DCM和CCM模式，工作在CCM模式下的BUCK型DC-DC时，需要你确定你的CCM模式电流的大小，如你要求负载在10mA到200mA需要在CCM模式，那么你的电感上的纹波电流峰峰值Ip-p = 20mA，Io = (Ip_max-Ip_min)/2 = 10mA，Ip_max =0mA。并通过L = 5*（Vin-Vo）*Vo*T/(Vin*Imax);得到你在CCM模式下的L值，如果你小于这个值的话，当你负载在Imin = 10mA的时候切换到DCM模式，同时你的输出电压将不为恒压模式。

所谓的临界点就是指电感电流的谷值为0， 所以你可以参考上述公式进行估算

Hi，我想问下DC-DC电流纹波大小计算公式是在CCM模式下才成立，DCM模式下的纹波电流大小怎么计算，为什么说DCM模式下纹波电压比较大？

先计算DCM下的占空比。然后就可以得出电感纹波电流

关于DCM模式下纹波电压比较大：需要在同样的条件下（同样的电感电流下）进行比较，单周期内DCM传输的能量要多于CCM（CCM有能量损耗，电感电流有负值）

您好，问下1、DCM的输出纹波电流也可以用CCM模式下的电流计算公式吗？

2、同一个电路下，即电感和电源芯片不变，从CCM模式转换到DCM模式，纹波电流会有变化吗？

3、DCM模式是否有存在反馈环路不够稳定的情况？

谢谢

1，两个模式下的电感电流计算公式都一样的V=L*di/dt

2， 你指的变化是什么变化，如果在DCM下，电路不降频，电感电流峰值不会变，只是原本负电流处变为0A

3， 不会，CCM 能工作，DCM也可以

您好，2中不降频是指有电感电流的阶段吧，不考虑0A所占的时间。

是的，很多芯片会在轻载时降频来提高效率

您好，2中，我想表达的意思是：电路不降频，负载减小，导致从CCM到DCM，这个时候电感纹波电流会变化吗？电感纹波电流定义是峰峰值减最低值，DCM只能到0,能不能理解为纹波电流减小？

你好，可能是我之前表述不够清楚。

在同样的输入输出以及负载条件下，电路的占空比以及电感上的充放电速度都是一样的，而CCM由于存在负电流，所以一个周期能电感上的储能DCM要大于CCM，故为了维持同样的输出功率，所以DCM会选择降频，而输出电压纹波和频率成反比，所以所输出纹波DCM比CCM大

您好，最近在设计DC-DC时有个疑问。

在输出电容ESR选择方面，虽然说要小一些，用于满足输出纹波要求，但是又不能太小，否则会影响稳定性要求，而且好像还对瞬态响应有要求，能说明下其中的原因吗？

谢谢

这个要看你的什么控制模式，如果需要利用输出纹波作为反馈的，那自然不能太小，如COT

而对于DCAP2，DCAP3，Current Mode这种，就不需要用输出纹波作为反馈信号，就要求尽可能小的ESR，所以就可以选择瓷片电容