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BQ24133充电芯片的EMI问题请教

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最近一直被BQ24133芯片的EMI问题困扰。

之前在论坛里面看了一个帖子,也是讨论EMI问题的:
e2echina.ti.com/.../131045

关于RC snubber电路的R、C值的选取,也有详细介绍。
我这里有一个BQ24133充电EMI问题特别难搞,在加RC snubber电路。按照《RC snubber.doc》文档的介绍,先不加C,得出振荡周期大概11ns。加C=2.7nF时,振荡周期变成21ns左右。那么C就取2.7nF。
然后计算出R=1.8欧。 BQ24133的开关频率是1.6MHz,充电器电压是12V,
计算出R的功耗大概是0.6W,那么就需要选择2512封装的大电阻。这个封装实在太大了,跟TI的参考设计中0603封装差别不止一点点。
请问这个BQ24133芯片,是否适合用RC snubber来降低EMI,这个R上的功耗太大,对芯片的发热、效率都有很大影响。

TI出了一个参考设计,并有EMI测试结果OK。其snubber电路中R=10欧,C=0.01uF。充电器电压是12V,这样算出来R上的消耗更大,需要2.5W的电阻,但是参考设计中只用了0603电阻,请问是怎么回事?接上去真的不烧掉么???我自己的板子接这么大的值会直接烧掉电阻。

  • Hi
    载的这个文档中,电阻的功耗只有几十个mW, 用0603没有问题。确实不应该会有0.6W这么大,请问你是怎么算的?
  • Hi, Johnsin

    计算过程如下:

    按TI的参考电路,这个电容0.01uF,电阻10欧,BQ24133的开关频率1.6M,充电器电压12V,所以Vds=12V

    根据文档中的公式:P=2(1/2 * 0.01uF *12V*12V)*1.6M =2.3W,这个结果更离谱。

    我自己的实验结果中,Cs=2.7nF,电阻=1.8欧,则计算出P=0.6W。

    这个计算过程没问题吧?

  • Hi
    根据这个文档算不出它里面的功耗,就我个人认为这个是有问题的。
    在公式中,电压不会该是12V, 这个电压应该是振铃峰值,而不是SW电压峰值。Snubber电容要消除的是振铃电压,所以应该只是那个尖峰电压。
  • Hi,
    从文档上看,Vds是MOS开关上的电压而不是振铃峰峰值,f是开关频率而不是振铃频率。而且文档上的例子里面,输入电压只有2.5V,开关频率只有600k,算出来是30多mW。我们是12V输入,1.6M开关频率,而且公式里面电压要平方,所以计算出来的结果肯定是例子里面的几十倍。
    In which, P is the power dissipation of the snubber resistor; Vds is the maximum voltage across the switch; Cs is the snubber capacitor; f is the switching frequency.

    可能这个文档不对吧?

    TI的这个PMP4397板子(具有EMI合规性),用12V、10nF/0603 snubber电容的,确实能正常工作不烧电阻么?(我这里没有0603电阻,曾经用0402实验确实烧了电阻。)