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BQ77910A问题



我这几天用TI的EVM做了一个测试板子,大部分功能都可以,测的比较顺利,就是遇到了这样几个问题,希望工程师帮我解答一下,谢谢!

1.由于资源问题我不想弄CHGST输入, 想试试只用CPCKN激活IC,说明书上边写的是低于VSS-2V就能激活,为什么我加了个-2.5V的负压在这个引脚上之后,充放电FET都没开呢?说明书上写的是power-up state is not latched是什么意思?如果电池电压都正常,充放电FET却不开,激活的意义是什么?

2.说明书里写的是,不用充电FET的配置下,电池电压过充电后,通过把TS引脚拉低来模拟一个过温的情况,从而使充电器停止充电。

首先:出于省电考虑,每4秒钟只检测一小段时间,那么充电器怎么在这四秒钟内准确定位到这一小段时间?因为其余时间都是拉低的,如果充电器检测与IC的检测有偏差就进过温状态停止充电了。

其次,在无充电FET的实际测试中,电池过充电以后,TS的引脚还是4秒钟只有一小段拉高,其余时间都是低的,跟有充电FET的配置一样的,没看出什么区别,这是怎么回事?

还有,BAT输入端的电容耐压要求多少?我现在用50V的电解电容会不会有问题?因为今天测试的时候发现钳位二极管坏掉了,然后CHG电压就跟BAT电压一样高,甚至超过功率FET的工作范围了。。。

  • Dear Anders

          1, CPCKN加上个VSS-2的电压后,只是LDO ON及power-up sequence to commence,并不能实际从SHUNDOWN模式真正唤醒,此电压一不存在,IC有会重新进入SHUNDOWN模式。你最好还是使用CHGST.

      2. 首先这个短路NTC可以让IC进入SHUTDOWN模式,就是你自己要根据实际项目的需求,来让IC进入省电模式,通过控制短路温度可以直接进入.你可以让其在无充电放电时进入,这完全靠你实际项目的需求自己来控制决定何时让IC进入省电模式。只要短路TS对地,IC侦测到这个条件后,就会进入。

  • 非常感谢Wang在百忙之中给与的回答,帮助很大,我第一个问题已经明白了,还是要用CHGST的方案,白天已经用CHGST方案解决了充电器的探测和激活问题

    但是第二个问题的话,还是在77910A的EVM板子上试验了,换过几颗IC,其他的工程师做下来都是一样的现象,我可能表述上不是很清晰,我再问题拆分下,麻烦再帮我分析一下是什么原因,因为说明书看的不是很懂,多谢!

    1.根据说明书,过温检测是否4s内只做200ms,那根据TS的波形来看是的,其余时间都是被pull-down,对于charger看到的,应该等效为NTC short或者OT或者电池过压,那么charger怎样准确定位这200ms呢?我是否还要额外考虑charger在这一方面的匹配性?

    2.我比较感兴趣无充电FET的这种方案,那么在没有充电FET的配置下,利用TS来向充电器传递过压信号,如果过压是否意味着TS就一直pull-down?那么温度检测是不是就停止掉了?

    3.说明书里写的,过压把TS拉低后,每4s检测一次充电器是什么意思?如果我采用CHGST方案的话,充电器不是通过CHGST引脚可以检测到吗?

    4.根据我和一些工程师的实测,无充电FET的配置和有充电FET的配置,过压情况下在TS引脚上没看到明显的区别,是否要用特定的charger来判别?

    非常感谢!