参考官网EVM设计的，输入50V，输出5.2V
问题：
1， 十几V输入时，空载正常，一旦负载超过200mA就保护了
2， 加大输入电压，连100mA负载都带不起
3， 方波明显的很杂，电感发烫，IC也发烫（理论IC是不会发烫的，因为是外置MOS）
4， 保护的现象是限流触发了保护，采样电阻两端的电压有很大振荡
备注：说滤波，线路等原因都不用提了，因为我的DC基本都是按照常规的规则去布线的，电流环也非常小，尽量在抵消磁干扰。
如果是线路跟电感问题，无非是转换率低，发烫而已。但是我现在输入那么小的电压，输出那么小的电流，就立马保护，感觉是整个IC 应用出了很大问题。
440K 跟2.2M都试过了，4.7uH到47uH的功率电感都试过了，一样的问题，并不会因为电感值改大，负载有变化。
IC发烫我很奇怪的，既然没有走大电流，怎么会烫。而且在高压输出的时候，更烫（输出100mA都不行）。
我对DC-DC不熟，我知道光看文字描述很难分析出来的，但是现在也没办法了，深圳这边没有TI原厂的工程师，有也都去忙自己的业务了。一级代理商的工程师很难约，而且这颗料听说很少有人用。
目前只能求助E2E论坛了，今天以前的一个电量计FAE跟我说，登录英文版的，发英语的描述，会有美国那边的工程师帮忙看。我会尝试一下，但是中文的这个论坛，我也先发一下，希望能帮我看看我的设计图。
描述一：
如果说IC的散热有问题，我确认我的GND是太小了，如图
顶层是普通的GND，4个过孔下去。
底层就问题来了，我把IC的地描述为PGND，用一个0603的0R电阻，跟总GND串起来，就是为了其他的外围电阻电容跟IC的PGND单点接地
可以看到，深色的框里是IC穿孔下来的PGND，面积很小（当时考虑到空间受限，这个IC又不是内置MOS）。粉红色框就是 0603 0R电阻，跟下面的大GND串起来
中间这一层 也只是把IC 的PGND铺了一点点
对比wenbench工具 给出的应用图，明显的我的IC 地太小了。 它的中间层，地层全部都是接大地了。
问题：
1， 我这样的地如果确实有问题，还能手动改吗，飞线之类的。
2， IC为什么烫，我始终难以理解。如果说IC地太小，散热不行，但是前提是IC自身是这么样情况下 才会产生很大热量？
3， 电感饱和情况 我觉得应该可以排除，因为我选择了很多电感，现象都一样，一带4载就保护了。
4， IC保护 是发生了什么故障，是不是占空比提不上去了吗，即使我不知道具体哪儿设计的有问题，也要知道内部保护是怎么发生的。
5，我发现低压的时候，短路采样电阻（不限流），10几V输入，可以强制1A输出，但是非常烫。所以触发过流保护也存在的。
还要补充一点，我试过按照wenbench工具，给出来的参数去改了一些，主要是电容参数。如下
可以看到跟我原理图还要有些区别的。然而这样元件更改，并没有起到任何作用，反而100mA都带不起来
老外晚上回我了，叫我把输入电容跟MOS搞在同一面，地线靠近，取消那个R4（跟输入滤波串联的电阻）
我试过了，
1，负载能力提起了了，但是还是很烫，42V的
时候，200mA带不起来。
2，很奇怪的IC一直烫
3，空载时，如果频率选择2.2M，也会有耗电的（没有改电容值之前，输入是不会有耗电的）
我又换了一个IC 可以带载1A了，之前的IC应该坏了（42V空载时都耗电），但是还是很烫，波形不正常。我也不知道怎么让它正常，请帮我看看 高测跟低侧的MOS 频率对不对。
